[发明专利]一种基于量子点的垂直结构发光晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于量子点的垂直结构发光晶体管及其制备方法，所述基于量子点的垂直结构发光晶体管包括层叠设置的衬底、栅极、绝缘层、网状源极、源极连接介质、有机半导体层、量子点层、电子传输层以及漏极；本发明将量子点发光器件的电致发光特性与垂直结构有机晶体管的开关特性结合起来，同时可通过调控栅压来减小量子点发光器件的操作电压，实现发光强度可任意调控的多功能器件。本发明提供的一种基于量子点的垂直结构发光晶体管的制备方法不仅仅制作方法简单，成本低，而且具有较大的应用价值，为未来提高集成度以及显示行业提供了很大的便利。

主权项

1.一种基于量子点的垂直结构发光晶体管，其特征在于：所述基于量子点的垂直结构发光晶体管包括层叠设置的衬底、栅极、绝缘层、源极接触电极、网状源极、有机半导体层、量子点层、电子传输层以及漏极；其中源极接触电极和有机半导体层均设置在网状源极表面，其中以有机半导体层为基底，依次设置量子点层、电子传输层、漏极；该发光晶体管采用垂直结构的有机晶体管，衬底采用透明的玻璃基板，源极连接介质采用能形成网格结构的纳米材料；所述垂直结构为网状源极、有机半导体层、量子点层、电子传输层和漏极的垂直堆叠结构，将量子点发光器件的电致发光特性与垂直结构有机晶体管的开关特性结合起来，同时通过调控栅压来减小量子点发光器件的操作电压，实现发光强度可任意调控的多功能器件。