[发明专利]快闪存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种快闪存储器的制造方法，无需增加额外的光罩，也无需刻蚀工艺，可在刻蚀所述存储区的层间介质层之前增加一道对所述层间介质层进行顶面平坦化的工艺，以消除沉积的层间介质层因浅沟槽隔离结构的高度差而产生的凹坑，进而避免了在形成存储区的源线多晶硅层时在外围区上产生源线多晶硅层残留的现象；或者，也可在形成填充于所述开口中的源线多晶硅层之后，增加一道对所述层间介质层进行顶面平坦化的工艺，以使所述存储区、外围区以及所述浅沟槽隔离结构的表面上的所述层间介质层的顶面齐平，由此可以同时去除外围区上的源线多晶硅层残留。

主权项

1.一种快闪存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成浮栅氧化层以及浮栅多晶硅层，并刻蚀所述浮栅多晶硅层、浮栅氧化层以及部分厚度的半导体衬底，以形成浅沟槽；形成填充于所述浅沟槽中的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构将所述半导体衬底划分为存储区和外围区，且所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述浮栅多晶硅层的顶面；在所述浅沟槽隔离结构和所述浮栅多晶硅层的表面上沉积层间介质层；刻蚀所述存储区的层间介质层、浮栅多晶硅层和浮栅氧化层，直至暴露出下方的半导体衬底表面，以形成开口；在所述开口的内侧壁上形成侧墙，并形成填充于所述开口中的源线多晶硅层；以及，在刻蚀所述存储区的层间介质层之前，或者，在形成填充于所述开口中的源线多晶硅层之后，对所述层间介质层进行顶面平坦化，以使所述存储区、外围区以及所述浅沟槽隔离结构的表面上的所述层间介质层的顶面齐平。