[发明专利]瞬态电压抑制器及其制造方法

摘要

本发明提供一种瞬态电压抑制器及其制造方法，包括：第一导电类型的衬底；生长于所述衬底上表面的第一导电类型的第一外延层；自所述第一外延层的上表面向下延伸至所述第一外延层内的第二导电类型的埋层；生长于所述第一外延层及所述埋层的上表面的第二导电类型的第二外延层；自所述第二外延层的上表面向下延伸至所述第二外延层内的第一导电类型的第一掺杂区；第二导电类型的第二掺杂区和第二导电类型的第三掺杂区；位于所述第二外延层的上表面的介质层；与所述第二外延层电连接的第一电极；以及与所述衬底下表面电连接的第二电极。所述瞬态电压抑制器具有低电容、集成度高、制造工艺简单的特点。

主权项

1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，其包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的第一外延层，生长于所述衬底的上表面；第二导电类型的埋层，自所述第一外延层的上表面向下延伸至所述第一外延层内；第二导电类型的第二外延层，生长于所述第一外延层及所述埋层的上表面；第一导电类型的第一掺杂区，自所述第二外延层的上表面向下延伸至所述第二外延层内；第二导电类型的第二掺杂区和第二导电类型的第三掺杂区，所述第二掺杂区自所述第二外延层和所述第一掺杂区的上表面向下延伸，所述第二掺杂区的一部分位于所述第二外延层内，所述第二掺杂区的另一部分位于所述第一掺杂区内，所述第三掺杂区自所述第一掺杂区的上表面向下延伸至所述第一掺杂区内，所述第二掺杂区和所述第三掺杂区的掺杂浓度大于所述第二外延层的掺杂浓度；介质层，形成于所述第二外延层的上表面；第一电极，与所述第二外延层电连接；第二电极，与所述衬底的下表面电连接。