[发明专利]一种穿通型IGBT的制造方法在审
| 申请号： | 201810797291.X | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN109065451A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 陈译;陈利 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/417;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361011 福建省厦门市中国（福建）*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种穿通型IGBT的制造方法，步骤如下：提供一个n‑型硅晶圆，制成IGBT表面MOS结构；对IGBT的背面进行减薄；导入n+缓冲层，在100keV以下的加速电压的条件下，对IGBT背面进行离子注入；导入p+集电极层，通过溅射工艺，将含有高浓度硼掺杂的多晶硅层附着于IGBT背面；IGBT背面退火，应用激光退火工艺对IGBT进行退火处理，促进n+缓冲层与p+集电极层的形成；形成背面集电极金属电极层。本发明通过激光退火处理，在p+集电极层中，能够得到掺杂的分布十分均匀，能使多晶硅p+集电极层再结晶，使原有溅射层的多晶硅的形态将更接近于单晶硅，提高p+集电极层的空穴的注入效率，从而降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 集电极层 背面 多晶硅 缓冲层 穿通 空穴 退火 单晶硅 集电极金属 导通电阻 多晶硅层 激光退火 加速电压 退火处理 退火工艺 应用激光 注入效率 掺杂的 电极层 硅晶圆 溅射层 硼掺杂 再结晶 附着 减薄 溅射 离子 制造 | ||
【主权项】：
1.一种穿通型IGBT的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一，提供一个n‑型硅晶圆，非外延晶圆，在其表面制成IGBT表面MOS结构，该MOS结构可以是平面型或栅槽型；步骤二、对IGBT的背面进行减薄；步骤三、导入n+缓冲层，在100keV以下的加速电压的条件下，对IGBT背面进行离子注入；步骤四、导入p+集电极层，通过溅射工艺，将含有高浓度硼掺杂的多晶硅层附着于IGBT背面；步骤五、IGBT背面退火，应用激光退火工艺对IGBT进行退火处理，促进n+缓冲层与p+集电极层的形成；步骤六、形成背面集电极金属电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
