[发明专利]基于磁控溅射的高温高电场下低损耗电容器薄膜制备方法在审
| 申请号： | 201810788798.9 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN108987112A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李琦;何金良;成桑;周垚 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/06;H01G4/08;H01G4/10;H01G4/18;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 戴凤仪 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于磁控溅射的高温高电场下低损耗电容器薄膜制备方法，通过真空射频磁控溅射技术在聚合物电容器薄膜表面沉积高绝缘性能薄层，利用高绝缘性能薄层的宽能带隙，将其作为电荷阻挡层，从而有效抑制高温高电场作用下由于电极处的电荷注入而形成的泄漏电流，进而提高聚合物电容器薄膜在高温高电场作用下的充放电效率，达到提高其工作温度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 高电场 低损耗电容器 聚合物电容器 高绝缘性能 薄膜制备 磁控溅射 薄层 磁控溅射技术 充放电效率 电荷阻挡层 薄膜表面 宽能带隙 泄漏电流 有效抑制 真空射频 电荷 电极 沉积 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种基于磁控溅射的高温高电场下低损耗电容器薄膜制备方法，其特征在于：通过真空射频磁控溅射技术在聚合物电容器薄膜表面沉积高绝缘性能薄层，利用高绝缘性能薄层的宽能带隙，将其作为电荷阻挡层，从而有效抑制高温高电场作用下由于电极处的电荷注入而形成的泄漏电流，进而提高聚合物电容器薄膜在高温高电场作用下的充放电效率，达到提高其工作温度的目的。
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