[发明专利]一种掩模装置、曝光设备及曝光方法有效
申请号: | 201810785237.3 | 申请日: | 2018-07-17 |
公开(公告)号: | CN110727169B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 张家锦;杨向超 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F1/42 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩模装置、曝光设备及曝光方法,掩模装置包括:掩模版组,包括至少两个子掩模版,每个子掩模版上形成有子掩模图形;掩模固定机构,用于固持所述至少两个子掩模版,且将所述至少两个子掩模版层叠设置,所述层叠设置的至少两个子掩模版的子掩模图形构成所述掩模版组的掩模图形;位置调整机构,用于调整掩模固定机构上至少一个子掩膜版的位置,以调整所述掩模版组的掩模图形。本发明提供的掩模装置,多个子掩模版层叠设置,形成掩模版组,通过调整子掩模版的位置,进而调整掩模组的掩模图形的位置,使掩模组的掩模图形在基板上形成的多个曝光图形的位置姿态与一个曝光场内的多个单元芯片的位置姿态对应匹配,提高了曝光精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 装置 曝光 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种掩模装置,其特征在于,包括:/n掩模版组,包括至少两个子掩模版,每个子掩模版上形成有子掩模图形;/n掩模固定机构,用于固持所述至少两个子掩模版,且将所述至少两个子掩模版层叠设置,所述层叠设置的至少两个子掩模版的子掩模图形构成所述掩模版组的掩模图形;/n位置调整机构,用于调整掩模固定机构上至少一个子掩膜版的位置,以调整所述掩模版组的掩模图形。/n
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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