[发明专利]用于发光二极管的半导体芯片在审
| 申请号： | 201810784329.X | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN109192830A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 邬新根;李俊贤;刘英策;魏振东;周弘毅 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/38 |
| 代理公司： | 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人： | 李高峰;孟湘明 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一用于发光二极管的半导体芯片，其包括一外延单元、至少一电流阻挡层、一透明导电层、一N型电极以及一P型电极，其中所述电流阻挡层层叠于所述外延单元的N型半导体层，所述透明导电层以包覆所述电流阻挡层的方式层叠于所述外延单元的P型半导体层，并且所述透明导电层的一列穿孔分别对应于所述电流阻挡层的不同位置，并且一列所述穿孔中的至少一个所述穿孔和相邻所述穿孔不同，所述N型电极层叠于所述N型半导体层，所述P型电极层叠于所述透明导电层，并且所述P型电极的每个P型叉指分别形成于和被保持在所述透明导电层的每个所述穿孔。 | ||
| 搜索关键词： | 透明导电层 穿孔 电流阻挡层 外延单元 半导体芯片 发光二极管 电流阻挡 包覆 叉指 | ||
【主权项】：
1.一用于发光二极管的半导体芯片，其特征在于，包括：一外延单元，其中所述外延单元包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区和一P型半导体层以及具有自所述P型半导体层经所述有源区延伸至所述N型半导体层的至少一半导体裸露部；至少一电流阻挡层，其中所述电流阻挡层层叠于所述P型半导体层；一透明导电层，其中所述透明导电层具有至少一列穿孔，其中所述透明导电层以包覆所述电流阻挡层的方式层叠于所述P型半导体层，所述透明导电层的所述穿孔对应于所述电流阻挡层，并且一列所述穿孔中的至少一个所述穿孔与相邻所述穿孔不同；以及一电极组，其中所述电极组包括层叠于所述N型半导体层的一N型电极和层叠于所述透明导电层的一P型电极，其中所述N型电极包括形成于所述半导体芯片的第二端部的一N型电极焊盘，其中所述P型电极包括形成于所述半导体芯片的第一端部的一P型电极焊盘和自所述P型电极焊盘向所述半导体芯片的第二端部方向延伸的至少一P型电极扩展条，其中所述P型电极扩展条具有一列P型叉指，其中所述P型叉指形成于和被保持在所述透明导电层的所述穿孔。
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