[发明专利]一种提高镉污染土壤上种植玉米质量的方法在审

专利信息
申请号: 201810783629.6 申请日: 2018-07-17
公开(公告)号: CN108901686A 公开(公告)日: 2018-11-30
发明(设计)人: 范洪黎;宋正国;霍文敏;邹茸;王丽;迟克宇 申请(专利权)人: 中国农业科学院农业资源与农业区划研究所;农业部环境保护科研监测所
主分类号: A01G22/20 分类号: A01G22/20;A01G22/00
代理公司: 天津企兴智财知识产权代理有限公司 12226 代理人: 蒋宏洋
地址: 100081 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明创造提供了一种提高镉污染土壤上种植玉米质量的方法。在镉污染土壤上均匀间作玉米和超积累植物野生龙葵,玉米种植密度为2株/m2,野生龙葵种植密度为8株/m2;玉米、超积累植物生长过程中采用常规水肥管理。其中镉污染土壤中Cd含量范围为(1.59‑1.92)mg/kg;玉米品种为郑单958。本发明创造所述的方法成本低廉,易于推广,对环境无不良影响,收获的玉米各器官镉浓度显著下降,同时抑制玉米镉的地下部向地上部转运,减少玉米镉吸收效果十分显著,此方法生产的玉米籽粒Cd含量满足现行国家标准《GB2762‑2012食品中污染物限量》。
搜索关键词: 玉米 镉污染土壤 超积累植物 龙葵 种植 生长过程 水肥管理 玉米品种 玉米种植 玉米籽粒 地下部 镉吸收 间作 转运 限量 污染物 器官 收获 生产
【主权项】:
1.一种提高镉污染土壤上种植玉米质量的方法,其特征在于:包括以下步骤:在镉污染土壤上,将玉米和野生龙葵均匀间作,玉米、野生龙葵生长过程中采用常规水肥管理,待玉米籽粒成熟后,同时收获玉米和野生龙葵。
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