[发明专利]一种包含静电保护结构的半导体开关器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种包含静电保护结构的半导体开关器件及其制作方法，包括：P型基底、N型阱区、P型阱区、栅极结构、N型源区、P型基材层、N型掺杂区、介质层及源区电极。介质层中形成有源区接触窗口，源区接触窗口显露的N型源区的中部区域反型形成P型接触区，P型接触区的两侧均保留有部分N型源区。本发明相比于传统工艺能节省一次掩膜的制作，可有效降低工艺成本。本发明的源区接触窗口仅显露N型源区的中部区域，将源区接触窗口显露的N型源区的中部区域反型形成P型接触区后，P型接触区的两侧均保留有部分N型源区，可以有效降低器件的导通电阻，提高器件的驱动电流。同时，本发明可有效提高静电保护结构的工艺效率，降低制作成本。

主权项

1.一种包含静电保护结构的半导体开关器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：/n1)提供一P型基底；/n2)于所述P型基底中形成N型阱区；/n3)于所述N型阱区中形成间隔排列的P型阱区，在P型阱区之间形成N型漂移区；/n4)形成栅介质层以及多晶硅层，对所述多晶硅层进行P型掺杂形成P型多晶硅层；/n5)刻蚀所述栅介质层以及所述P型多晶硅层以形成栅极结构以及P型基材层，所述栅极结构包括间隔且横跨于所述N型阱区及P型阱区之间的第一栅单元及第二栅单元，所述P型基材层位于所述半导体开关器件的外围区域；/n6)制作掩膜层并进行N型离子注入，以于所述P型阱区中形成N型源区，同时于所述P型基材层中形成间隔的N型掺杂区；/n7)于器件表面形成介质层，于所述介质层中形成源区接触窗口、第一保护接触窗口及第二保护接触窗口，所述源区接触窗口显露所述N型源区的中部区域，所述第一保护接触窗口及所述第二保护接触窗口显露所述N型掺杂区的中部区域，以所述介质层为掩膜，基于所述源区接触窗口、所述第一保护接触窗口及所述第二保护接触窗口进行P型离子注入，使得显露的所述N型源区的中部区域反型形成P型接触区，所述P型接触区的两侧均保留有部分所述N型源区，同时使得显露的所述N型掺杂区的中部区域反型分别形成第一P型保护接触区以及第二P型保护接触区，所述第一P型保护接触区以及第二P型保护接触区的两侧均保留有部分所述N型掺杂区；/n8)于所述源区接触窗口、所述第一保护接触窗口及所述第二保护接触窗口中填充导电材料以形成源区电极、第一静电保护电极及第二静电保护电极，并使所述第一静电保护电极与所述源区电极电连接，所述第二静电保护电极与所述栅极结构电连接。/n