[发明专利]一种S沉积花状MoS2钠离子电池负极材料的制备方法在审
| 申请号： | 201810779977.6 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN108807938A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 许占位;姚恺;付豪;沈学涛;黄剑锋;曹丽云;杨军;孔硌 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/58;H01M10/054 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 王晶 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种S沉积花状MoS2钠离子电池负极材料的制备方法，将钼酸铵同硫充分研磨得到混合物A；将一定量的硫充分研磨得到B；将A和B分别置于双温区管式炉中，排去空气，一定温度下钼酸铵同硫反应得到花状MoS2；同时硫化学气相沉积在MoS2上得到S沉积花状MoS2钠离子电池负极材料。二硫化钼层状化合物具有大的层间距，可容纳钠离子，并具有高的理论容量。但二硫化钼纳米片之间容易团聚，用于钠离子电池时充放电体积膨胀大造成稳定性较差、容量衰减明显。通过将纳米硫颗粒沉积在MoS2纳米片上，能够提高纳米MoS2片的分散性，有效避免MoS2片的团聚，缓解MoS2在充放电过程中的体积膨胀，改善MoS2电化学稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 钠离子电池 花状 沉积 负极材料 体积膨胀 研磨 钼酸铵 制备 团聚 二硫化钼纳米片 电化学稳定性 双温区管式炉 层状化合物 充放电过程 得到混合物 纳米硫颗粒 二硫化钼 理论容量 气相沉积 容量衰减 层间距 充放电 分散性 硫化学 钠离子 纳米片 容纳 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种S沉积花状MoS2钠离子电池负极材料的制备方法，其特征在于：1)取0.1～0.5g的市售钼酸铵与0.3～0.7g的市售硫混合，充分研磨得到均匀混合物A；2)取0.4～0.6g的市售硫充分研磨得到B；3)将混合物A置于双温区管式炉的出气口，B置于双温区管式炉的进气口，然后通入氩气排去双温区管式炉中的空气；4)设置双温区管式炉的出气口以8～15℃/min的升温速率自室温升温至600～800℃，保温30～60min，使钼酸铵同硫反应后得到花状MoS2；5)同时设置双温区管式炉的进气口以3～6℃/min的升温速率自室温升温至350～450℃，保温30～60min，将硫化学气相沉积到MoS2上，得到S沉积花状MoS2钠离子电池负极材料。
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