[发明专利]一种表面敏感晶圆的切割保护工艺以及保护结构在审
| 申请号: | 201810772935.X | 申请日: | 2018-07-14 |
| 公开(公告)号: | CN109103141A | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
| 发明(设计)人: | 任傲傲;章峰 | 申请(专利权)人: | 全讯射频科技(无锡)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司: | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人: | 顾吉云;陈松 |
| 地址: | 214000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明提供了一种表面敏感晶圆的切割保护工艺,其可以在晶圆的切割工序中保护晶圆表面避免划伤,提高了产品良率,降低品质风险和不良报废率,包括以下步骤:将尺寸与晶圆相适应的塑料环贴附在Non‑UV膜上;将晶圆的正面朝上贴装在塑料环内侧,晶圆的背面与Non‑UV膜接触贴合;通过均胶清洗机在步骤2中得到的晶圆的正面上涂覆光刻胶;将步骤3中得到的晶圆放入烘箱中烘干,使涂覆在晶圆正面的光刻胶固化;将步骤4得到的晶圆进行切割,完成晶圆上的晶片之间的分离;将步骤5得到的晶片放在紫外灯环境下曝光,曝光后再放入匀胶清洗机中使用清洗剂对晶片进行清洗,去除去光刻胶,同时还提供了一种表面敏感晶圆的保护结构。 | ||
| 搜索关键词: | 晶圆 光刻胶 晶片 切割 保护结构 清洗机 塑料环 放入 敏感 涂覆 清洗剂 烘箱 产品良率 晶圆表面 晶圆正面 切割工序 曝光 报废率 紫外灯 朝上 烘干 划伤 贴附 贴合 贴装 匀胶 固化 背面 清洗 | ||
【主权项】:
1.一种表面敏感晶圆的切割保护工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:将尺寸与晶圆相适应的塑料环贴附在Non‑UV膜上;步骤2:将晶圆的正面朝上贴装在塑料环内侧,晶圆的背面与Non‑UV膜接触贴合;步骤3:通过均胶清洗机在步骤2中得到的晶圆的正面上涂覆光刻胶;步骤4:将步骤3中得到的晶圆放入烘箱中烘干,使涂覆在晶圆正面的光刻胶固化;步骤5:将步骤4得到的晶圆进行切割,完成晶圆上的晶片之间的分离;步骤6:将步骤5得到的晶片放在紫外灯环境下曝光,曝光后再放入匀胶清洗机中使用清洗剂对晶片进行清洗,去除去光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





