[发明专利]自对准金属硅化物的制造方法

摘要

本发明公开了一种自对准金属硅化物的制造方法，包括步骤：步骤一、在衬底表面依次形成由材料不同的第一介质层和第二介质层叠加而成的双层金属硅化物阻挡层；步骤二、形成光刻胶图形打开需要形成自对准金属硅化物的区域；步骤三、进行第一次干法刻蚀工艺将打开区域中的第二介质层去除；步骤四、去除光刻胶图形；步骤五、以第二介质层为掩膜并进行第二次湿法刻蚀工艺将打开区域中的第一介质层完全去除。本发明能避免金属硅化物阻挡层对应的湿法刻蚀机台对光刻胶产生去除作用，从而避免光刻胶对湿法刻蚀机台产生不利影响。

主权项

1.一种自对准金属硅化物的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一硅衬底，在所述硅衬底表面依次形成由第一介质层和第二介质层叠加而成的双层金属硅化物阻挡层，所述第二介质层和所述第一介质层的材料不同；步骤二、在所述双层金属硅化物阻挡层涂布光刻胶并进行光刻形成光刻胶图形，所述光刻胶图形的打开区域为需要形成自对准金属硅化物的区域；步骤三、以所述光刻胶图形为掩膜并进行第一次干法刻蚀工艺将所述打开区域中的所述第二介质层去除，所述打开区域中的所述第一介质层的厚度不变或被部分消耗；步骤四、去除所述光刻胶图形；步骤五、以所述第二介质层为掩膜并进行第二次湿法刻蚀工艺将所述打开区域中的所述第一介质层完全去除并露出需要形成所述自对准硅化物的硅表面；所述第二次湿法刻蚀工艺后所述打开区域外的所述第二介质层的不变或被部分消耗；通过将所述光刻胶图形去除的工艺放置在所述第二次湿法刻蚀工艺之前防止在所述第二次湿法刻蚀中产生光刻胶刻蚀以及由光刻胶刻蚀产生对湿法刻蚀机台的不利影响。