[发明专利]硅控整流器型ESD保护结构及实现方法

摘要

本发明公开了一种硅控整流器型ESD保护结构及实现方法，该结构包括：生成于半导体基体中的N阱和P阱；置于N阱上部的高浓度P型掺杂22、N阱和基体/P阱构成等效PNP三极管结构；高浓度N型掺杂26、高浓度P型掺杂28置于P阱上部，N阱、基体/P阱和高浓度N型掺杂26构成等效NPN三极管结构；高浓度N型掺杂24置于N阱与P阱分界处上部，高浓度N型掺杂26和高浓度P型掺杂28之间用STI隔离，高浓度P型掺杂22左侧和高浓度P型掺杂28右侧分别放置STI，高浓度N型掺杂24与高浓度N型掺杂26之间的P阱上方放置N型栅极。本发明中高浓度N型掺杂24兼具加强型保护环和N阱接触点的作用，降低了寄生PNP三极管的电流增益，可以进一步提高维持电压。

主权项

1.一种硅控整流器型ESD保护结构，其特征在于，所述ESD保护结构包括：半导体基体(80)；生成于所述半导体基体(80)中一侧的N阱(60)和另一侧的P阱(70)；高浓度P型掺杂(22)置于N阱(60)上部，高浓度P型掺杂(22)、N阱(60)以及基体(80)/P阱(70)构成等效PNP三极管结构；高浓度N型掺杂(26)、高浓度P型掺杂(28)置于P阱(70)上部，N阱(60)、基体(80)/P阱(70)和高浓度N型掺杂(26)构成等效NPN三极管结构；高浓度N型掺杂(24)置于N阱(60)与P阱(70)分界处上部，高浓度P型掺杂(22)左侧放置浅沟道隔离层(10)，高浓度N型掺杂(26)和高浓度P型掺杂(28)之间用浅沟道隔离层(10)隔离，高浓度P型掺杂(28)右侧放置浅沟道隔离层(10)，高浓度N型掺杂(24)与高浓度N型掺杂(26)之间的P阱(70)上方放置N型栅极(50)。