[发明专利]一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201810768268.8 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN108962981B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 杨学林;沈波;宋春燕;纪攀峰;唐军;齐胜利;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 北京大学;合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法，通过外延方法制备的降低氮化镓基外延层中漏电的结构包括，衬底；成核层，设置于所述衬底的上表面；应力和缺陷控制层，设置于所述成核层的上表面；下缓冲层，设置于所述应力和缺陷控制层的上表面；电子阻挡层，设置于所述下缓冲层的上表面；上缓冲层，设置于所述电子阻挡层的上表面；沟道层，设置于所述上缓冲层的上表面；以及势垒层，设置于所述沟道层的上表面。利用本发明，通过在上缓冲层和下缓冲层中引入电子阻挡层，利用电子阻挡层的势垒阻挡特性，能够有效的阻挡衬底中的电子注入到上缓冲层中，有效减少氮化镓基外延层中的纵向漏电流，提高氮化镓基外延层的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 氮化 外延 漏电 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构，其特征在于，所述结构包括：衬底；成核层，设置于所述衬底的上表面；应力和缺陷控制层，设置于所述成核层的上表面，用于调控所述氮化镓基外延层中的应力和抑制所述氮化镓基外延层中的缺陷；下缓冲层，设置于所述应力和缺陷控制层的上表面，用于提高所述氮化镓基外延层的晶体质量和表面形貌；电子阻挡层，设置于所述下缓冲层的上表面，用于形成势垒阻挡衬底电子的注入；上缓冲层，设置于所述电子阻挡层的上表面，用于提高所述氮化镓基外延层的晶体质量和表面形貌；沟道层，设置于所述上缓冲层的上表面，用于为二维电子气提供一个良好的运输通道；以及，势垒层，设置于所述沟道层的上表面，所述势垒层和所述沟道层构成半导体异质结构，用于在所述势垒层和所述沟道层的界面处形成高浓度的具有高迁移特性的二维电子气。
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