[发明专利]一种底栅薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810762819.X | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN108878540A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 程鑫;彭辉仁;蔡如平 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学;北京协同创新研究院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种底栅薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管包括：衬底、设置在所述衬底上的栅极、覆盖所述栅极的介电层、设置在所述介电层上的源极和漏极，以及覆盖所述源极和所述漏极的半导体材料层；所述源极和所述漏极相互间隔，且与所述栅极对准；所述介电层上开设有与所述栅极的连接线连通的通道。本发明提供的薄膜晶体管能够消除寄生电容，具有较短的沟道，其性能检测方便快捷，半导体材料层可反复洗脱和生长，实现了下层基材的重复利用。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 漏极 源极 底栅薄膜晶体管 半导体材料层 薄膜晶体管 衬底 制备 连接线 寄生电容 下层基材 性能检测 重复利用 沟道 洗脱 覆盖 连通 对准 生长 | ||
【主权项】：
1.一种底栅薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：衬底、设置在所述衬底上的栅极、覆盖所述栅极的介电层、设置在所述介电层上的源极和漏极，以及覆盖所述源极和所述漏极的半导体材料层；所述源极和所述漏极相互间隔，且与所述栅极对准；所述介电层上开设有与所述栅极的连接线连通的通道。
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