[发明专利]一种竖直结构锗沟道场效应晶体管器件的制造方法有效
| 申请号： | 201810758788.0 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN109065613B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张睿;赵毅 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/16;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 刘静;邱启旺 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种竖直结构锗沟道场效应晶体管器件的制造方法。首先在衬底上沉积锗薄膜和镍薄膜，并通过退火形成镍锗合金薄膜作为器件的源极；其次在源极上沉积第一绝缘层薄膜、氮化铪薄膜和第二绝缘层薄膜；刻蚀第一绝缘层薄膜、氮化铪薄膜和第二绝缘层薄膜形成沟道孔洞，并氧化沟道孔洞内壁的氮化铪生成氧氮化铪或氧化铪，作为器件的栅绝缘层；在沟道孔洞中沉积非晶锗，并通过退火使锗结晶形成器件的沟道；最后在沟道上方沉积镍薄膜并退火形成镍锗合金作为器件的漏极。本发明采用先制备栅极堆垛再制备沟道的方法，充分降低了制备竖直结构器件过程中的工艺难度，降低了工艺成本，制得的器件具有驱动电流大、集成密度高等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 竖直 结构 沟道 场效应 晶体管 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种竖直结构锗沟道场效应晶体管器件的制造方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：(1)在衬底上依次沉积锗薄膜和镍薄膜，并通过退火形成镍锗合金薄膜作为器件的源极；(2)在源极上依次沉积第一绝缘层薄膜、氮化铪薄膜和第二绝缘层薄膜；(3)刻蚀第一绝缘层薄膜、氮化铪薄膜和第二绝缘层薄膜形成沟道孔洞，并氧化沟道孔洞内壁的氮化铪生成氧氮化铪或氧化铪，作为器件的栅绝缘层；(4)在沟道孔洞中沉积非晶锗，并通过退火使锗结晶形成器件的沟道；(5)在沟道上方沉积镍薄膜并退火形成镍锗合金作为器件的漏极，最终形成竖直结构锗沟道场效应晶体管器件。
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