[发明专利]基于柔性基板的二硫化钼纳米点阵列的制备方法及系统在审
| 申请号： | 201810758560.1 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN108914061A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陈果;凌志天;赵艺;张鹏鹏;魏斌 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24;C01G39/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王戈 |
| 地址： | 200000*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于柔性基板的二硫化钼纳米点阵列的制备方法及系统。所述制备方法包括：将溅射有铟锡氧化物薄膜的柔性基板进行清洗，得到洁净基板；将所述洁净基板进行烘干，得到干燥基板；将所述干燥洁净的柔性基板和MoS2粉末放置在真空蒸镀仪中，对MoS2粉末加热升华，使它在干燥洁净的柔性基板上凝华，得到MoS2纳米点阵列。采用本发明的基于柔性基板的MoS2纳米点阵列的制备方法或系统直接利用高真空蒸镀仪加热，将MoS2粉末蒸镀至柔性基板上，能够制备一系列大小、数量可控的纳米点阵，且制得的成品质量较高，可以直接应用到其它柔性器件的制备中。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性基板 制备 纳米点 洁净 二硫化钼 基板 蒸镀 铟锡氧化物薄膜 真空蒸镀仪 干燥基板 加热升华 纳米点阵 柔性器件 高真空 可控的 烘干 加热 溅射 凝华 清洗 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于柔性基板的二硫化钼纳米点阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将溅射有铟锡氧化物薄膜的柔性基板进行清洗，得到洁净基板；将所述洁净基板进行烘干，得到干燥基板；将所述干燥基板和二硫化钼MoS2粉末放置于真空蒸镀仪中，对MoS2进行加热，使MoS2升华至柔性基板上，凝华得到MoS2纳米点阵列。
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