[发明专利]太阳能电池制作方法有效
| 申请号: | 201810751928.1 | 申请日: | 2018-07-10 |
| 公开(公告)号: | CN108630785B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
| 发明(设计)人: | 林刘毓;丘立安;刘浩哲;罗伯特·维斯 | 申请(专利权)人: | 成都先锋材料有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 邓超 |
| 地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | 本发明提供的太阳能电池制作方法,涉及半导体技术领域。太阳能电池制作方法包括:提供一模具,该模具的支架具有N行M列共N*M个间隔呈矩阵分布的固定槽;针对每一固定槽,将一衬底固定于该固定槽;在每一衬底相对的两面分别制作保护层和阻挡层;在每一阻挡层的上方位置的一面制作电极层;在每一电极层的上方位置的一面制作吸收层;在每一吸收层的上方位置的一面制作缓冲层;在每一缓冲层的上方位置的一面制作高阻抗层;在每一高阻抗层的上方位置的一面制作低阻抗层;分离所述模具以得到N*M片太阳能电池。通过上述方法,可以改善通过现有的方法以制作太阳能电池而存在产率低的问题。 | ||
| 搜索关键词: | 制作 太阳能电池 上方位置 固定槽 模具 高阻抗层 电极层 缓冲层 吸收层 阻挡层 衬底 半导体技术领域 低阻抗层 矩阵分布 保护层 产率 支架 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池制作方法,其特征在于,包括:提供一模具,其中,该模具的支架具有N行M列共N*M个间隔呈矩阵分布的固定槽;针对每一固定槽,将一衬底固定于该固定槽,其中,所述衬底为铁材料层;针对每一衬底,在该衬底相对的两面分别制作保护层和阻挡层;针对每一阻挡层,在该阻挡层的上方位置的一面制作电极层,其中,所述电极层为钼材料层;针对每一电极层,在该电极层的上方位置的一面制作吸收层;针对每一吸收层,在该吸收层的上方位置的一面制作缓冲层;针对每一缓冲层,在该缓冲层的上方位置的一面制作高阻抗层;针对每一高阻抗层,在该高阻抗层的上方位置的一面制作低阻抗层;分离所述模具,以得到N*M片具有保护层、衬底、阻挡层、电极层、吸收层、缓冲层、高阻抗层以及低阻抗层的太阳能电池。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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