[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，包括：提供包括逻辑区和外围区的半导体衬底；在半导体衬底上形成初始鳍部和隔离结构，初始鳍部包括若干沿半导体衬底表面法线方向重叠的第一鳍部层和位于相邻第一鳍部层之间的第二鳍部层，隔离结构覆盖部分初始鳍部侧壁；在外围区初始鳍部侧壁形成保护层；去除外围区初始鳍部形成凹槽，凹槽底部表面低于隔离结构顶部表面；在凹槽内形成单一材料的修正鳍部；去除保护层；形成横跨初始鳍部的第一栅极结构，第一栅极结构包括第一栅介质层，第一栅极结构环绕逻辑区的第一鳍部层；形成横跨修正鳍部的第二栅极结构，第二栅极结构包括第二栅介质层，第二栅介质层厚度大于第一栅介质层厚度。所述方法提高了半导体器件的性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底包括逻辑区和外围区；/n在逻辑区和外围区半导体衬底上分别形成初始鳍部和隔离结构，所述初始鳍部包括若干层沿半导体衬底表面法线方向重叠的第一鳍部层和第二鳍部层，所述第二鳍部层位于相邻两层第一鳍部层之间，所述隔离结构覆盖部分初始鳍部侧壁；/n在外围区初始鳍部侧壁形成保护层，所述保护层暴露出外围区初始鳍部顶部表面；/n去除外围区初始鳍部，在外围区的保护层内形成凹槽，所述凹槽底部表面低于隔离结构顶部表面；/n在所述凹槽内形成修正鳍部，所述修正鳍部的材料为单一材料；/n去除所述保护层，暴露出修正鳍部顶部和侧壁表面；/n形成横跨逻辑区初始鳍部的第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅介质层，且部分第一栅极结构替代逻辑区的第二鳍部层，所述第一栅极结构环绕逻辑区的第一鳍部层；/n形成横跨修正鳍部的第二栅极结构，所述第二栅极结构包括第二栅介质层，所述第二栅介质层厚度大于所述第一栅介质层厚度。/n