[发明专利]一种基于分离磁性隧道结与探针磁读写头的磁性存储装置有效

专利信息
申请号: 201810750103.8 申请日: 2018-07-10
公开(公告)号: CN109192232B 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 游龙;洪正敏;李仕豪 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16;G11C11/15
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 李智;曹葆青
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于分离磁性隧道结与探针磁读写头的磁性存储装置,磁性存储装置的磁读写头和存储介质相互分离;磁读写头为探针结构;分离磁性隧道结的固定层位于磁读写头的尖端处,分离磁性隧道结的自由层位于存储介质的表面,分离磁性隧道结的隧穿层位于固定层表面、自由层表面中至少一个。本发明把磁性隧道结中自由层和固定层分开,将固定层制作在纳米级别探针结构的磁读写头上,将自由层制作在存储介质上,分别用作读写和数据存储功能,降低了工艺难度和成本,简化了磁读写头的结构,实现了读写一体化,通过缩小磁读写头的尺寸实现了高密度存储。
搜索关键词: 一种 基于 分离 磁性 隧道 探针 读写 存储 装置
【主权项】:
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