[发明专利]一种基于分离磁性隧道结与探针磁读写头的磁性存储装置有效
申请号: | 201810750103.8 | 申请日: | 2018-07-10 |
公开(公告)号: | CN109192232B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 游龙;洪正敏;李仕豪 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16;G11C11/15 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智;曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于分离磁性隧道结与探针磁读写头的磁性存储装置,磁性存储装置的磁读写头和存储介质相互分离;磁读写头为探针结构;分离磁性隧道结的固定层位于磁读写头的尖端处,分离磁性隧道结的自由层位于存储介质的表面,分离磁性隧道结的隧穿层位于固定层表面、自由层表面中至少一个。本发明把磁性隧道结中自由层和固定层分开,将固定层制作在纳米级别探针结构的磁读写头上,将自由层制作在存储介质上,分别用作读写和数据存储功能,降低了工艺难度和成本,简化了磁读写头的结构,实现了读写一体化,通过缩小磁读写头的尺寸实现了高密度存储。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 分离 磁性 隧道 探针 读写 存储 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810750103.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于交互信息的方法和装置
- 下一篇:一种液态磁敏感材料的实验装置