[发明专利]一种槽栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201810748803.3 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN108922923B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;许晓锐;刘超;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种槽栅双极型晶体管。本发明属于三维结构，主要方案是采用封闭状沟槽栅结构，并往沟槽栅反向水平缩小了P型基区，使得沟槽结构能更充分的与N‑漂移区1接触，形成产生反型层沟道的反型栅结构和产生电子积累层的积累栅结构。所以，在器件导通的时候，积累栅产生的电子积累层通过反型栅产生的沟道相连到发射极上去，形成发射极双注入，电子注入的效率被极大增强，降低了导通压降。此外，本发明采用微小的分离的P型基区，减少了反偏PN结对N漂移区中空穴的抽取，提高了发射极一侧载流子的浓度，起到了辅助降低导通压降的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 槽栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种槽栅双极型晶体管，其元胞结构包括从下至上依次层叠设置金属化集电极(11)、P+集电极区(10)、N+缓存层(9)和N‑漂移区(1)；所述N‑漂移区(1)上层外围具有闭合的沟槽栅结构，在N‑漂移区(1)上层两侧还分别具有呈对称分布的P型基区(2)、N+发射区(6)和P+接触区(7)，其中P型基区(2)和N+发射区(6)与沟槽栅接触，P型基区(2)位于N+发射区(6)和P+接触区(7)下方，N+发射区(6)和P+接触区(7)并列设置；在N+发射区(6)和P+接触区(7)上表面还具有金属化发射极(8)；在N‑漂移区(1)上层中部还具有沟槽栅结构，使每个元胞上层形成2个由沟槽栅闭合的区域；其特征在于，所述P型基区(2)的结深小于沟槽栅的结深，沿器件横向方向，P型基区(2)的宽度小于N+发射区(6)和P+接触区(7)的宽度；器件元胞的布局规则为：以器件的俯视平面建立平面直角坐标系，沿水平方向，每个元胞并列排列，沿垂直方向，相邻元胞之间以水平方向偏离半个元胞长度为基准，呈交错分布。
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