[发明专利]一种非晶薄膜器件及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810745219.2 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN108899418B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 汤卉;唐新桂;刘秋香;蒋艳平;张天富 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;唐京桥 |
| 地址： | 510060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明属于薄膜器件技术领域，尤其涉及一种非晶薄膜器件及其制备方法和应用。本发明非晶薄膜器件包括：基底、第一电极结构、非晶薄膜层和第二电极结构；第一电极结构设置于基底上；非晶薄膜层设置在第一电极结构背离基底的一侧；第二电极结构设置在非晶薄膜层背离第一电极结构的一侧，第一电极结构与第二电极结构相互接触连接；非晶薄膜层为SrFe |
||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种非晶薄膜器件，其特征在于，包括：基底、第一电极结构、非晶薄膜层和第二电极结构；所述第一电极结构设置于所述基底上；所述非晶薄膜层设置在所述第一电极结构背离所述基底的一侧；所述第二电极结构设置在所述非晶薄膜层背离所述第一电极结构的一侧，所述第一电极结构与所述第二电极结构相互接触连接；所述非晶薄膜层为SrFexTi1‑xO3非晶薄膜层，其中，x为0.05～0.5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学，未经广东工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810745219.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
