[发明专利]基于纳米钯异质生长的上转换纳米杂化体系、制备方法及应用有效
| 申请号: | 201810740091.0 | 申请日: | 2018-07-07 |
| 公开(公告)号: | CN108904800B | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
| 发明(设计)人: | 孙丽宁;施利毅;赵慧君;赵磊;汪姝含;王卓 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
| 主分类号: | A61K41/00 | 分类号: | A61K41/00;A61K49/00;A61K49/18;A61P35/00;A61K47/58;A61K47/60;A61K47/69 |
| 代理公司: | 广州高炬知识产权代理有限公司 44376 | 代理人: | 孙明科 |
| 地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: |
本发明公开了一种基于纳米钯异质生长的上转换纳米杂化体系的制备方法,其是利用种子生长法,在稀土上转换发光纳米颗粒表面异质成核生长纳米钯形成的纳米杂化体系,所述稀土上转换发光纳米颗粒的表面包覆一层惰性NaGdF |
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| 搜索关键词: | 基于 纳米 钯异质 生长 转换 体系 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种基于纳米钯异质生长的上转换纳米杂化体系的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将表面包覆一层惰性NaGdF4的油溶性稀土上转换发光纳米颗粒和去离子水的混合溶液用稀盐酸调节溶液pH为酸性,混合搅拌,得到第一分散液;2)将十六烷基三甲基氯化铵(CTAB)作为表面活性剂,以氯化钯和第一分散液为原料,分散搅拌混合,再加入抗坏血酸对其进行还原,静置;使上转换发光纳米颗粒的晶体结构与纳米钯的晶体结构具有晶格匹配度,该上转换发光纳米颗粒为纳米钯晶体的生长提供至少一个生长位点,使纳米钯晶体以上转换发光纳米颗粒为核并在其表面沉积、生长,得到第二分散液;3)将水溶性的表面有机配体与第二分散液进行充分搅拌混合,即得到纳米钯异质生长的上转换纳米杂化体系,其是在稀土上转换发光纳米颗粒表面异质成核生长纳米钯晶体所形成的纳米杂化体系。
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