[发明专利]一种在Perovskite中掺杂PEDOT:PSS的钙钛矿太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 201810723015.9 | 申请日: | 2018-07-04 |
公开(公告)号: | CN108878662B | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 刘志勇;刘凯凯;刘鹏飞;虞登吉;段君杰 | 申请(专利权)人: | 河南师范大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/46 |
代理公司: | 新乡市平原智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 41139 | 代理人: | 路宽 |
地址: | 453007 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种在Perovskite中掺杂PEDOT:PSS的钙钛矿太阳能电池的制备方法,具体过程为:1)PEDOT:PSS空穴传输层制备;2)Perovskite‑PEDOT:PSS钙钛矿光活性层制备;3)PCBM电子传输层制备;4)Bphen空穴阻挡层制备;5)Ag电极的蒸镀制备。本发明以Perovskite‑PEDOT:PSS作为钙钛矿光活性层可以改善钙钛矿光活型层的形貌,同时由于PEDOT:PSS的空穴传输性以及与Perovskite之间的络合作用,可以有效钝化钙钛矿层的体缺陷和界面缺陷,从而提高了光生载流子的传输效率,因此很大程度上提高了钙钛矿太阳能电池的光电性能。本发明简单易行,材料易得,成本相对较低,并无过高的条件要求,同时制备的太阳能电池器件光电性能良好且光电转换率较高。 | ||
搜索关键词: | 一种 perovskite 掺杂 pedot pss 钙钛矿 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在Perovskite中掺杂PEDOT:PSS的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于具体过程为:步骤S100:制备PEDOT:PSS空穴传输层,具体步骤为:步骤S101:将经过清洗和亲水化处理的ITO玻璃放置在匀胶机上,在ITO玻璃上均匀涂覆PEDOT:PSS水溶液并进行旋涂得到PEDOT:PSS空穴传输层的前驱膜,旋涂转速为2500~3500转/分,旋涂时间为30~40秒;步骤S102:将经过步骤S101处理的旋涂前驱膜的ITO基底放置在加热台上,在空气环境中以低于140℃的温度持续退火15~30分钟得到厚度均匀的PEDOT:PSS空穴传输层;步骤S200:制备Perovskite‑PEDOT:PSS钙钛矿层,具体步骤为:步骤S201:将PEDOT:PSS水溶液与DMF溶液互溶配制成体积百分比为1.0%~2.0%的混合溶剂;步骤S202:将PbCl2和CH3NH3I按照摩尔比为1:3混合均匀得到混合粉末,并将上述混合粉末置于经过步骤S201制备的混合溶剂中,放置于手套箱内的加热台上,在氮气气氛中以低于70℃的温度加热搅拌溶解得到混合溶液;步骤S203:将步骤S202所得到的混合溶液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤器进行过滤得到黄色澄清的Perovskite‑PEDOT:PSS钙钛矿层前驱溶液;步骤S204:将步骤S102得到的生长有PEDOT:PSS空穴传输层的ITO基底放置于手套箱中的匀胶机上,在PEDOT:PSS空穴传输层上均匀涂覆步骤S203得到的Perovskite‑PEDOT:PSS钙钛矿层前驱溶液并进行旋涂得到Perovskite‑PEDOT:PSS钙钛矿层的前驱膜,旋涂转速为3000~5000转/分,旋涂时间为40~50秒;步骤S205:将经过步骤S204处理的旋涂有前驱膜的ITO基底放置于手套箱中的加热台上,以10℃/10分钟的升温速率从30℃梯度退火至100~120℃,并在低于120℃的温度下持续退火1.5小时得到棕黑色的Perovskite‑PEDOT:PSS钙钛矿层;步骤S300:制备PCBM电子传输层,具体步骤为:步骤S301:在手套箱中将15~25mg深棕色粉末PCBM置于氯苯中,放置在加热台上,在氮气环境中以低于60℃的温度加热搅拌溶解,最终得到浓度为20±5mg/mL的PCBM电子传输层前驱溶液;步骤S302:将步骤S205得到的生长有Perovskite‑PEDOT:PSS钙钛矿层的ITO基底放置在手套箱中的匀胶机上,在Perovskite‑PEDOT:PSS钙钛矿层上均匀涂覆经过步骤S301制备的PCBM电子传输层前驱溶液,并进行旋涂得到PCBM电子传输层的前驱膜,旋涂转速为2000~4000转/分,旋涂时间为40~50秒;步骤S303:将经过步骤S302处理的旋涂有前驱膜的ITO基底放置于手套箱的加热台上,在氮气环境中于60~80℃退火15~20分钟得到PCBM电子传输层;步骤S400:制备Bphen空穴阻挡层,具体步骤为:步骤S401:在空气中将5~7mg粉末Bphen置于无水乙醇中,然后放置在手套箱的加热台上,在氮气环境中加热搅拌溶解得到浓度为0.5~0.7mg/mL的Bphen空穴阻挡层前驱溶液;步骤S402:将步骤S302得到的生长有PCBM电子传输层的ITO基底放置在手套箱中的匀胶机上,在PCBM电子传输层上均匀涂覆经过步骤S401制备的Bphen空穴阻挡层前驱溶液,然后进行旋涂得到Bphen空穴阻挡层,旋涂转速为4000~6000转/分,旋涂时间为40~50秒;步骤S500:制备Ag电极,具体步骤为:在室温下,将步骤S402得到的生长有Bphen空穴阻挡层的ITO基底放置在真空镀膜机中,在 4.5×10−4Pa的高真空环境下以热蒸发方式蒸镀一层厚度为80~120nm的银电极薄膜,得到结构为ITO/PEDOT:PSS/Perovskite‑PEDOT:PSS/PCBM/Bphen/Ag的在Perovskite中掺杂PEDOT:PSS的钙钛矿太阳能电池。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河南师范大学,未经河南师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810723015.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择