[发明专利]一种在Perovskite中掺杂PEDOT:PSS的钙钛矿太阳能电池的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810723015.9 申请日: 2018-07-04
公开(公告)号: CN108878662B 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 刘志勇;刘凯凯;刘鹏飞;虞登吉;段君杰 申请(专利权)人: 河南师范大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/46
代理公司: 新乡市平原智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 41139 代理人: 路宽
地址: 453007 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种在Perovskite中掺杂PEDOT:PSS的钙钛矿太阳能电池的制备方法,具体过程为:1)PEDOT:PSS空穴传输层制备;2)Perovskite‑PEDOT:PSS钙钛矿光活性层制备;3)PCBM电子传输层制备;4)Bphen空穴阻挡层制备;5)Ag电极的蒸镀制备。本发明以Perovskite‑PEDOT:PSS作为钙钛矿光活性层可以改善钙钛矿光活型层的形貌,同时由于PEDOT:PSS的空穴传输性以及与Perovskite之间的络合作用,可以有效钝化钙钛矿层的体缺陷和界面缺陷,从而提高了光生载流子的传输效率,因此很大程度上提高了钙钛矿太阳能电池的光电性能。本发明简单易行,材料易得,成本相对较低,并无过高的条件要求,同时制备的太阳能电池器件光电性能良好且光电转换率较高。
搜索关键词: 一种 perovskite 掺杂 pedot pss 钙钛矿 太阳能电池 制备 方法
【主权项】:
1.一种在Perovskite中掺杂PEDOT:PSS的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于具体过程为:步骤S100:制备PEDOT:PSS空穴传输层,具体步骤为:步骤S101:将经过清洗和亲水化处理的ITO玻璃放置在匀胶机上,在ITO玻璃上均匀涂覆PEDOT:PSS水溶液并进行旋涂得到PEDOT:PSS空穴传输层的前驱膜,旋涂转速为2500~3500转/分,旋涂时间为30~40秒;步骤S102:将经过步骤S101处理的旋涂前驱膜的ITO基底放置在加热台上,在空气环境中以低于140℃的温度持续退火15~30分钟得到厚度均匀的PEDOT:PSS空穴传输层;步骤S200:制备Perovskite‑PEDOT:PSS钙钛矿层,具体步骤为:步骤S201:将PEDOT:PSS水溶液与DMF溶液互溶配制成体积百分比为1.0%~2.0%的混合溶剂;步骤S202:将PbCl2和CH3NH3I按照摩尔比为1:3混合均匀得到混合粉末,并将上述混合粉末置于经过步骤S201制备的混合溶剂中,放置于手套箱内的加热台上,在氮气气氛中以低于70℃的温度加热搅拌溶解得到混合溶液;步骤S203:将步骤S202所得到的混合溶液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤器进行过滤得到黄色澄清的Perovskite‑PEDOT:PSS钙钛矿层前驱溶液;步骤S204:将步骤S102得到的生长有PEDOT:PSS空穴传输层的ITO基底放置于手套箱中的匀胶机上,在PEDOT:PSS空穴传输层上均匀涂覆步骤S203得到的Perovskite‑PEDOT:PSS钙钛矿层前驱溶液并进行旋涂得到Perovskite‑PEDOT:PSS钙钛矿层的前驱膜,旋涂转速为3000~5000转/分,旋涂时间为40~50秒;步骤S205:将经过步骤S204处理的旋涂有前驱膜的ITO基底放置于手套箱中的加热台上,以10℃/10分钟的升温速率从30℃梯度退火至100~120℃,并在低于120℃的温度下持续退火1.5小时得到棕黑色的Perovskite‑PEDOT:PSS钙钛矿层;步骤S300:制备PCBM电子传输层,具体步骤为:步骤S301:在手套箱中将15~25mg深棕色粉末PCBM置于氯苯中,放置在加热台上,在氮气环境中以低于60℃的温度加热搅拌溶解,最终得到浓度为20±5mg/mL的PCBM电子传输层前驱溶液;步骤S302:将步骤S205得到的生长有Perovskite‑PEDOT:PSS钙钛矿层的ITO基底放置在手套箱中的匀胶机上,在Perovskite‑PEDOT:PSS钙钛矿层上均匀涂覆经过步骤S301制备的PCBM电子传输层前驱溶液,并进行旋涂得到PCBM电子传输层的前驱膜,旋涂转速为2000~4000转/分,旋涂时间为40~50秒;步骤S303:将经过步骤S302处理的旋涂有前驱膜的ITO基底放置于手套箱的加热台上,在氮气环境中于60~80℃退火15~20分钟得到PCBM电子传输层;步骤S400:制备Bphen空穴阻挡层,具体步骤为:步骤S401:在空气中将5~7mg粉末Bphen置于无水乙醇中,然后放置在手套箱的加热台上,在氮气环境中加热搅拌溶解得到浓度为0.5~0.7mg/mL的Bphen空穴阻挡层前驱溶液;步骤S402:将步骤S302得到的生长有PCBM电子传输层的ITO基底放置在手套箱中的匀胶机上,在PCBM电子传输层上均匀涂覆经过步骤S401制备的Bphen空穴阻挡层前驱溶液,然后进行旋涂得到Bphen空穴阻挡层,旋涂转速为4000~6000转/分,旋涂时间为40~50秒;步骤S500:制备Ag电极,具体步骤为:在室温下,将步骤S402得到的生长有Bphen空穴阻挡层的ITO基底放置在真空镀膜机中,在 4.5×10−4Pa的高真空环境下以热蒸发方式蒸镀一层厚度为80~120nm的银电极薄膜,得到结构为ITO/PEDOT:PSS/Perovskite‑PEDOT:PSS/PCBM/Bphen/Ag的在Perovskite中掺杂PEDOT:PSS的钙钛矿太阳能电池。
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