[发明专利]一种去除阳极氧化制备SiC纳米结构中帽层的方法有效
| 申请号： | 201810720477.5 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN108930057B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 陈善亮;李维俊;刘乔;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12;C25D11/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 洪珊珊 |
| 地址： | 315000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种去除阳极氧化法制备纳米材料过程中出现的帽层的方法，属于材料技术领域。所述的方法包括在以SiC晶片为阳极在刻蚀液刻蚀前先用饱和NH4HF溶液进行预刻蚀。本发明可有效去除阳极氧化法制备SiC纳米结构过程中产生的帽层，工艺简单可控，具有很好的重复性，且方法简单，帽层自动脱落，无需外力，去除效率高。通过本发明去除帽层的方法还还原了阳极氧化制得的SiC纳米结构的顶部表面该有的形貌，提高其开放度，进而提高了SiC纳米结构的性能。另外，该去除帽层的方法无需额外设备，并缩短了刻蚀的时间，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 帽层 去除 纳米结构 阳极氧化法制 阳极氧化 材料技术领域 形貌 刻蚀液刻蚀 阳极 顶部表面 纳米材料 自动脱落 开放度 预刻蚀 可控 刻蚀 制备 还原 饱和 | ||
【主权项】：
1.一种去除阳极氧化制备SiC纳米结构中帽层的方法，其特征在于，所述的方法包括在以SiC晶片为阳极在刻蚀液刻蚀前先用NH4HF2溶液进行预刻蚀；刻蚀液刻蚀与预刻蚀时以相同的脉冲电源进行刻蚀；脉冲电源占空比为50％，频率1‑1.5KHz，脉冲电源以恒定的电流密度120‑200mA cm‑2进行刻蚀。
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