[发明专利]干蚀刻设备有效
| 申请号： | 201810720366.4 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109037019B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 温彦跃 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种干蚀刻设备。该干蚀刻设备包括：腔体、设于所述腔体上的多个气孔以及对应设于所述腔体中并对应位于每一气孔上的多个挡板，所述气孔用于向腔体外排气，所述挡板用于遮挡所述气孔的部分面积，降低气孔处的瀑布效应，减小多个气孔处的蚀刻速率，提高干蚀刻设备的蚀刻速率均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 设备 | ||
【主权项】：
1.一种干蚀刻设备，其特征在于，包括：腔体(10)、设于所述腔体(10)上的多个气孔(11)以及设于所述腔体(10)中并对应位于每一气孔(11)上的多个挡板(12)；所述气孔(11)用于向腔体(10)外排气；所述挡板(12)用于遮挡所述气孔(11)的部分面积。
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