[发明专利]像素阵列及其制备方法、显示面板、显示装置在审

专利信息
申请号: 201810716653.8 申请日: 2018-07-03
公开(公告)号: CN108899329A 公开(公告)日: 2018-11-27
发明(设计)人: 苏同上;王东方;成军;刘军;王庆贺;李广耀;闫梁臣 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 柴亮;张天舒
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种像素阵列及其制备方法、显示面板、显示装置,属于显示技术领域。本发明的像素阵列包括交叉且绝缘设置的多条栅线和多条数据线,以及栅线和数据线交叉位置处限定出的像素单元;每个像素单元均包括薄膜晶体管,位于同一行的像素单元中的薄膜晶体管的有源层的宽长比,沿栅线的扫描方向依次增大;和/或,位于同一列的像素单元中的薄膜晶体管的有源层的宽长比,沿数据线的数据写入方向依次增大。
搜索关键词: 像素单元 薄膜晶体管 像素阵列 显示面板 显示装置 依次增大 宽长比 数据线 源层 栅线 制备 数据写入方向 数据线交叉 绝缘设置 扫描方向 同一列 位置处 条栅
【主权项】:
1.一种像素阵列,包括交叉且绝缘设置的多条栅线和多条数据线,以及所述栅线和所述数据线交叉位置处限定出的像素单元;每个所述像素单元均包括薄膜晶体管,其特征在于,位于同一行的所述像素单元中的薄膜晶体管的有源层的宽长比,沿所述栅线的扫描方向依次增大;和/或,位于同一列的所述像素单元中的薄膜晶体管的有源层的宽长比,沿所述数据线的数据写入方向依次增大。
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