[发明专利]一种基于金属离子掺杂二氧化钛间隔层的光稳定钙钛矿太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201810716083.2 | 申请日： | 2018-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN108878658B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 杨松旺;黄绵吉;邵君;赵庆宝;陈宗琦;寿春晖;沈曲;邬荣敏;洪凌;郑光磊;冯立波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所;浙江天地环保科技有限公司;浙江浙能技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;熊子君 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于金属离子掺杂二氧化钛间隔层的光稳定钙钛矿太阳电池及其制备方法。一种光稳定钙钛矿太阳能电池，包括透明衬底，以及依次形成在透明衬底上的空穴阻挡层、二氧化钛介孔层、金属离子掺杂二氧化钛间隔层、钙钛矿光敏感层和背电极层；所述金属离子掺杂二氧化钛间隔层中金属离子为钼离子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 离子 掺杂 氧化 间隔 稳定 钙钛矿 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光稳定钙钛矿太阳能电池，其特征在于，包括透明衬底，以及依次形成在透明衬底上的空穴阻挡层、二氧化钛介孔层、金属离子掺杂二氧化钛间隔层、钙钛矿光敏感层和背电极层；所述金属离子掺杂二氧化钛间隔层中金属离子为钼离子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所;浙江天地环保科技有限公司;浙江浙能技术研究院有限公司，未经中国科学院上海硅酸盐研究所;浙江天地环保科技有限公司;浙江浙能技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810716083.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高效率碳基钙钛矿太阳能电池的制备方法
- 下一篇：一种有机太阳电池
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
