[发明专利]考虑交叉耦合效应的IPMSM低速段无位置传感器控制方法有效
申请号: | 201810698471.2 | 申请日: | 2018-06-29 |
公开(公告)号: | CN108900127B | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 言钊;颜建虎;费晨;汪盼;姚超 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | H02P21/04 | 分类号: | H02P21/04;H02P21/18;H02P21/24;H02P6/18 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 朱沉雁 |
地址: | 210094 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: |
本发明公开了一种考虑交叉耦合效应的IPMSM低速段无位置传感器控制方法,具体步骤:首先构建电机基于旋转高频信号注入法的无位置传感器矢量控制系统,旋转高频电压矢量从αβ轴系注入,用一个带通滤波器滤出高频电流响应i |
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搜索关键词: | 考虑 交叉 耦合 效应 ipmsm 低速 位置 传感器 控制 方法 | ||
【主权项】:
1.一种考虑交叉耦合效应的IPMSM低速段无位置传感器控制方法,其特征在于,具体步骤:步骤一、构建IPMSM基于旋转高频信号注入法的无位置传感器矢量控制系统,旋转高频电压矢量从αβ轴系注入,用一个带通滤波器滤出高频电流响应iαβi,再用一个高频同步轴系高通滤波器滤出负序电流分量iαβin;步骤二、离线测量IPMSM在不同的电流工作点(id、iq)处的交叉耦合因子λ,并拟合出λ关于id、iq的近似关系式,利用此关系式根据无位置传感器控制下的id、iq解出此时的λ值,其中id为矢量控制下的直轴电流,iq为交轴电流;步骤三、结合λ对iαβin中的实际转子位置θr和因交叉耦合产生的角度偏差θm实现解耦,用改进的锁相环估计出转子位置,消除交叉耦合效应对估计精度的影响。
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