[发明专利]一种二硫化钛薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810698130.5 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109023484A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 张伟英;李岩;周毅平;胡晓柯;付文文;李丹阳;范一丹;李钊;杨海峰 | 申请（专利权）人： | 洛阳师范学院 |
| 主分类号： | C25D13/02 | 分类号： | C25D13/02 |
| 代理公司： | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 单燕君 |
| 地址： | 471022 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜制备技术领域，具体涉及一种二硫化钛薄膜的制备方法。采用电化学法在ITO基片上沉积得到二硫化钛薄膜；施加电压为65‑80V。该方法工艺简单、成本低廉、反应条件温和以及制备效率高等优点，为其今后在新型光电探测器的研究开发提供保障。 | ||
| 搜索关键词： | 二硫化钛 制备 薄膜 薄膜制备技术 光电探测器 电化学法 反应条件 施加电压 沉积 开发 研究 | ||
【主权项】：
1.一种二硫化钛薄膜的制备方法，其特征在于，采用电化学法在ITO基片上沉积得到二硫化钛薄膜；施加电压为65‑80V。
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