[发明专利]一种同时具有负微分电阻和忆阻功能的器件制备方法有效
| 申请号： | 201810697102.1 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108878647B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 杨峰;米雅民·萨尔曼·卡齐姆;孙柏;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人： | 舒启龙 |
| 地址： | 610031 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种同时具有负微分电阻和忆阻功能的器件制备方法，步骤如下，将Zn片用无水乙醇清洗后，置于甲酰胺溶液中反应，用掩膜板制备Ag顶电极，掩膜板小孔直径0.5‑1mm，将掩膜板置于反应好的Zn片上，滴加银凝胶，固化24h；将1％面积的Zn片表面打磨去除氧化层，露出未反应的Zn做底电极，Ag做顶电极，中间层为ZnO纳米棒阵列，即得目标器件。本发明步骤少、操作简单、制得物性能优良、具有明显的负微分及忆阻特性，有望在新型电子器件中获得应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同时 具有 微分 电阻 功能 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种同时具有负微分电阻和忆阻功能的器件制备方法，包括以下步骤：a、Zn片清洗将面积1‑100cm2Zn片放入100ml无水乙醇清洗10分钟，去除表面氧化层,自然晾干；b、配置甲酰胺的水溶液配置5％体积比的甲酰胺的水溶液200ml；c、反应将Zn片置于甲酰胺的水溶液中，在80℃下反应24h.取出，自然晾干；d、制备器件用掩膜板制备Ag顶电极，掩膜板小孔直径0.5‑1mm，将掩膜板置于反应好的Zn片上，滴加银凝胶，固化24h；将1％面积的Zn片表面打磨去除氧化层，露出未反应的Zn做底电极，Ag做顶电极，中间层为ZnO纳米棒阵列，即得目标器件。
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