[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201810695929.9 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109697995B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 千东烨 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;赵永莉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储器装置，其包括存储器单元阵列、外围电路、就绪繁忙信号生成器和控制逻辑。存储器单元阵列包括多个存储器单元。外围电路对存储器单元阵列执行读取操作、写入操作和擦除操作中的一个。就绪繁忙信号生成器根据半导体存储器装置的操作选择性地输出内部就绪繁忙信号和外部就绪繁忙信号中的一个。控制逻辑控制外围电路和就绪繁忙信号生成器的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；外围电路，其对所述存储器单元阵列执行读取操作、写入操作和擦除操作中的一个；就绪繁忙信号生成器，其根据所述半导体存储器装置的操作选择性地输出内部就绪繁忙信号和外部就绪繁忙信号中的一个；以及控制逻辑，其控制所述外围电路和所述就绪繁忙信号生成器的操作。
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