[发明专利]一种疏松结构CoP二维纳米片制备方法有效
| 申请号： | 201810691792.X | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN108658053B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 刘荣梅;江紫翔;孙雪莹;刘莉;曹雯静 | 申请（专利权）人： | 安徽工程大学 |
| 主分类号： | C01B25/08 | 分类号： | C01B25/08;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 王冰冰 |
| 地址： | 241000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种疏松结构CoP二维纳米片制备方法，所述制备方法是以氢氧化钴纳米片作为前驱物置于瓷舟的一端,以偏磷酸钠置于瓷舟的另一端,之后将瓷舟置于惰性气体保护的加热炉中加热反应，其中，装有偏磷酸钠的一端对着加热炉出气口，然后依次经过产物洗涤、离心收集和干燥后，得到疏松结构的CoP二维纳米片。本发明采用高温煅烧法，制备工艺简单，易重复。该CoP二维纳米片在电容器、电池和电催化等领域具有大的应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 疏松 结构 cop 二维 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种疏松结构CoP二维纳米片制备方法，其特征在于，所述制备方法是以氢氧化钴纳米片作为前驱物置于瓷舟的一端,以偏磷酸钠置于瓷舟的另一端,之后将瓷舟置于惰性气体保护的加热炉中加热反应，其中，装有偏磷酸钠的一端对着加热炉出气口，然后依次经过产物洗涤、离心收集和干燥后，得到疏松结构的CoP二维纳米片。
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