[发明专利]半导体器件及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201810689887.8 申请日: 2018-06-28
公开(公告)号: CN108807281B 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 孔蔚然;李冰寒;钱文生;于涛 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/8238 分类号: H01L21/8238
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 徐文欣;吴敏
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种半导体器件及其形成方法,方法包括:提供半导体衬底,半导体衬底包括第一区、第二区和第三区,第二区位于第一区和第三区之间;对半导体衬底进行第一离子掺杂,在半导体衬底内形成第一阱区,第一阱区内掺杂有第一离子;在半导体衬底上形成覆盖第三区表面的初始栅层;之后,对第二区和第三区的半导体衬底进行第二离子掺杂,将第二区内的第一阱区反型为第二阱区,将第三区内的第一阱区反型为第三阱区,第二阱区和第三阱区内掺杂有第二离子,第二离子与第一离子导电类型相反,第二阱区的离子浓度大于第三阱区的离子浓度;在第二阱区上形成第一栅极结构;刻蚀初始栅层,在第三阱区上形成第二栅极结构。所述方法减少了掩膜次数,降低了成本。
搜索关键词: 半导体器件 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括第一区、第二区和第三区,所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间;对所述半导体衬底的第一区、第二区和第三区进行第一离子掺杂,在第一区、第二区和第三区半导体衬底内形成第一阱区,所述第一阱区内掺杂有第一离子;在所述半导体衬底第三区上形成初始栅层;在形成所述初始栅层之后,对第二区和第三区的半导体衬底进行第二离子掺杂,将第二区内的第一阱区反型为第二阱区,将第三区内第一阱区反型为第三阱区,所述第二阱区和第三阱区内掺杂有第二离子,所述第二离子与第一离子导电类型相反,第二阱区的第二离子掺杂浓度大于第三阱区的第二离子掺杂浓度;在半导体衬底上形成第一栅极结构,至少一个第一栅极结构位于第二阱区上;形成第一栅极结构后,刻蚀所述初始栅层,在所述第三阱区上形成第二栅极结构。
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