[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
申请号: | 201810689887.8 | 申请日: | 2018-06-28 |
公开(公告)号: | CN108807281B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 孔蔚然;李冰寒;钱文生;于涛 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/8238 | 分类号: | H01L21/8238 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种半导体器件及其形成方法,方法包括:提供半导体衬底,半导体衬底包括第一区、第二区和第三区,第二区位于第一区和第三区之间;对半导体衬底进行第一离子掺杂,在半导体衬底内形成第一阱区,第一阱区内掺杂有第一离子;在半导体衬底上形成覆盖第三区表面的初始栅层;之后,对第二区和第三区的半导体衬底进行第二离子掺杂,将第二区内的第一阱区反型为第二阱区,将第三区内的第一阱区反型为第三阱区,第二阱区和第三阱区内掺杂有第二离子,第二离子与第一离子导电类型相反,第二阱区的离子浓度大于第三阱区的离子浓度;在第二阱区上形成第一栅极结构;刻蚀初始栅层,在第三阱区上形成第二栅极结构。所述方法减少了掩膜次数,降低了成本。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括第一区、第二区和第三区,所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间;对所述半导体衬底的第一区、第二区和第三区进行第一离子掺杂,在第一区、第二区和第三区半导体衬底内形成第一阱区,所述第一阱区内掺杂有第一离子;在所述半导体衬底第三区上形成初始栅层;在形成所述初始栅层之后,对第二区和第三区的半导体衬底进行第二离子掺杂,将第二区内的第一阱区反型为第二阱区,将第三区内第一阱区反型为第三阱区,所述第二阱区和第三阱区内掺杂有第二离子,所述第二离子与第一离子导电类型相反,第二阱区的第二离子掺杂浓度大于第三阱区的第二离子掺杂浓度;在半导体衬底上形成第一栅极结构,至少一个第一栅极结构位于第二阱区上;形成第一栅极结构后,刻蚀所述初始栅层,在所述第三阱区上形成第二栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造