[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区、第二区和第三区，第二区位于第一区和第三区之间；对半导体衬底进行第一离子掺杂，在半导体衬底内形成第一阱区，第一阱区内掺杂有第一离子；在半导体衬底上形成覆盖第三区表面的初始栅层；之后，对第二区和第三区的半导体衬底进行第二离子掺杂，将第二区内的第一阱区反型为第二阱区，将第三区内的第一阱区反型为第三阱区，第二阱区和第三阱区内掺杂有第二离子，第二离子与第一离子导电类型相反，第二阱区的离子浓度大于第三阱区的离子浓度；在第二阱区上形成第一栅极结构；刻蚀初始栅层，在第三阱区上形成第二栅极结构。所述方法减少了掩膜次数，降低了成本。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间；对所述半导体衬底的第一区、第二区和第三区进行第一离子掺杂，在第一区、第二区和第三区半导体衬底内形成第一阱区，所述第一阱区内掺杂有第一离子；在所述半导体衬底第三区上形成初始栅层；在形成所述初始栅层之后，对第二区和第三区的半导体衬底进行第二离子掺杂，将第二区内的第一阱区反型为第二阱区，将第三区内第一阱区反型为第三阱区，所述第二阱区和第三阱区内掺杂有第二离子，所述第二离子与第一离子导电类型相反，第二阱区的第二离子掺杂浓度大于第三阱区的第二离子掺杂浓度；在半导体衬底上形成第一栅极结构，至少一个第一栅极结构位于第二阱区上；形成第一栅极结构后，刻蚀所述初始栅层，在所述第三阱区上形成第二栅极结构。