[发明专利]基于CeO2有效

专利信息
申请号: 201810686904.2 申请日: 2018-06-28
公开(公告)号: CN109060898B 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 魏琴;徐芮;张勇;范大伟;马洪敏;杜斌 申请(专利权)人: 济南大学
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26;G01N27/327
代理公司: 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) 37240 代理人: 高强
地址: 250022 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及基于CeO2‑CdS减弱型的脑利钠肽抗原光电化学传感器的制备方法。本发明以CeO2‑CdS作为基底材料并用可见光照射来获得光电流。CdS与CeO2能带匹配良好,使光电转换效率大大提高。二氧化硅‑聚多巴胺‑银纳米复合物具有较大的空间位阻,其次银纳米颗粒与基底CdS之间存在能量转移,使光电响应实现双重减弱,增加了光电响应的变化值,从而提高了该传感器的灵敏度。根据不同浓度的待测物对光电信号强度的影响不同,实现了对脑利钠肽抗原的检测。其检测限为0.05 pg/mL。
搜索关键词: 基于 ceo base sub
【主权项】:
1.基于SiO2/PDA‑Ag纳米复合物减弱CeO2‑CdS的脑利钠肽抗原光电化学传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)二氧化铈的制备取0.5 ~ 1.5 g硝酸铈和0.2 ~ 0.5 g尿素溶解于50 ~ 100 mL水中,于室温下搅拌20 ~ 50 min,之后混合溶液转入反应釜中,于100 ~ 150 °C下反应6 ~ 10 h,反应冷却至室温后,用无水乙醇和超纯水各洗涤3次,真空干燥;获得的粉末于350 ~ 500 °C下高温煅烧4 ~ 8 h;(2)二氧化铈‑硫化镉复合物的制备取0.05 ~ 0.2 g所制备的二氧化铈溶解于20 mL水中,之后加入0.1 ~ 0.2 g乙酸镉和0.1 ~ 0.2 g 硫脲,搅拌1 ~ 2 h后,用0.5 M的氢氧化钠溶液调节pH至8 ~ 12,继续搅拌2 h后转入反应釜中于150 ~ 200 °C下反应10 ~ 14 h,冷却至室温后,用无水乙醇和超纯水各洗涤3次后,于40 ~ 60 °C下真空干燥10 ~ 14 h;(3)二氧化硅的制备60 ~ 80 mL无水乙醇与2 ~ 5 mL超纯水混合形成透明溶液,后加入5 ~ 10 mL硅酸四乙酯,继续以2 mL/min的速度加入10 ~ 30 mL、质量分数为10 % ~ 30 %的氨水,于20 ~ 50 °C下搅拌 3 ~ 6 h后,离心,用无水乙醇和超纯水洗涤产品至中性,于30 ~ 50°C真空干燥10 ~ 14 h,制得二氧化硅材料;(4)二氧化硅‑聚多巴胺‑银纳米复合物的制备将60 ~ 90 mg制得的二氧化硅和60 ~ 90 mg盐酸多巴胺溶解于20 ~ 50 mL、10mM、pH=7.0 ~ 9.0的Tris盐酸缓冲溶液中,室温下振摇20 ~ 24 h,然后用无水乙醇和超纯水各洗涤3次,真空干燥,得二氧化硅‑聚多巴胺(PDA@SiO2)复合材料;将质量分数为1 ~ 3%的氨水加入5 ~ 20 mg/mL的硝酸银溶液中,直至棕色沉淀溶解,得到银氨溶液;所制备的PDA@SiO2取50 ~ 100 mg加入20 ~ 50 mL银氨溶液中,于室温下振摇10 ~ 15 h,所得产品用无水乙醇和超纯水离心洗涤3次,于20 ~ 40 °C下真空干燥6 ~ 10 h,制得二氧化硅‑聚多巴胺‑银纳米复合物,即SiO2/PDA‑Ag NPs;(5)二氧化硅‑聚多巴胺‑银标记的脑利钠肽二抗的制备取1 ~ 5 mg所制备的SiO2/PDA‑Ag NPs 溶于1 ~3 mL、pH为7.0的PBS缓冲溶液后,加入100 ~ 300 μL浓度为5 ~ 20 μg/mL的脑利钠肽二抗,于10 ~ 40 °C下震荡2 ~ 5 h后,离心,用PBS缓冲溶液洗涤3次,产物溶于2mL的PBS缓冲溶液中储存备用;(6)光电化学传感器的制备1)将导电玻璃依次用洗衣粉、丙酮、乙醇和超纯水超声清洗,氮气吹干;2)取6 µL、2 ~ 6 mg/mL的二氧化铈‑硫化镉复合物的水溶液滴加到ITO导电玻璃的导电面,红外灯下晾干;3)在修饰电极表面,继续滴加体积比为1:1的10 ~ 30 mg/mL 1‑乙基‑(3‑二甲基氨基丙级)碳二亚胺盐酸盐和10 ~ 30 mg/mL N‑羟基琥珀酰亚胺的混合液4 μL;超纯水冲洗电极表面,室温下自然晾至湿润薄膜状态;4)滴加6 µL、5 ~ 20 μg/mL的脑利钠肽捕获抗体,超纯水清洗,室温下自然晾至湿润薄膜状态;5)滴加3 µL、用PBS缓冲溶液配制的质量分数为1 ~ 3%的牛血清白蛋白溶液于修饰电极表面,超纯水冲洗电极表面,4 ℃冰箱中晾干;6)滴加6 µL、0.01 pg/mL ~ 5 ng/mL用PBS缓冲溶液配制的脑利钠肽抗原,超纯水冲洗电极表面,4 ℃冰箱中自然晾干;7)滴加6 µL、5 ~ 20μg/mL带有SiO2/PDA‑Ag NPs标记的脑利钠肽检测抗体,超纯水冲洗电极表面,4 ℃冰箱中晾干,制得一种检测脑利钠肽抗原的光电化学传感器。
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