[发明专利]一种高红外透过率AlON透明陶瓷的快速制备方法有效
| 申请号： | 201810684626.7 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN108794016B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 单英春;徐久军;韩晓光;孙先念;李平 | 申请（专利权）人： | 大连海事大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 李娜;李馨 |
| 地址： | 116026 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高红外透过率AlON透明陶瓷的快速制备方法，属于透明陶瓷材料制备领域。一种高红外透过率AlON透明陶瓷的快速制备方法，所述方法包括下述工艺步骤：将具有双峰粒度分布特征的AlON混合粉体置于模具中，将模具置于放电等离子体烧结炉中，真空条件下进行烧结过程，整个烧结过程中保持向粉体施加50～100MPa的压强，所述烧结过程为：将烧结炉以150～300℃/min的升温速率升温至1500～1700℃后保温0.5～5min，后随炉冷却至室温，得AlON透明陶瓷块体。该方法升温速度快、保温时间短、烧结温度低且降温速度快，制备效率非常高，节能效果好，可显著降低AlON透明陶瓷的制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 透过 alon 透明 陶瓷 快速 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高红外透过率AlON透明陶瓷的快速制备方法，其特征在于：所述方法包括下述工艺步骤：将具有双峰粒度分布特征的AlON混合粉体置于模具中，将模具置于放电等离子体烧结炉中，真空条件下进行烧结过程，整个烧结过程中保持向粉体施加50～100MPa的压强，所述烧结过程为：将烧结炉以150～300℃/min的升温速率升温至1500～1700℃后保温0.5～5min，后随炉冷却至室温，得AlON透明陶瓷块体，其中，所述具有双峰粒度分布特征的AlON粉体的颗粒粒度为0.9～15μm，其由60～85wt.％粗颗粒粉体和15～40wt.％细颗粒粉体组成；所述粗颗粒粉体和细颗粒粉体的划分界限值为1.2～1.6μm，粒度不小于划分界限值的粉体为粗颗粒粉体，粒度小于划分界限值的粉体为细颗粒粉体。
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