[发明专利]MRAM器件与其制作方法

摘要

本申请提供了一种MRAM器件与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，在互连介质层中设置第一互连部和第二互连部；步骤S2，在互连介质层的表面上依次设置第一刻蚀阻挡层和第一介质层；步骤S3，在第一互连部上方的第一刻蚀阻挡层和第一介质层内形成第一金属孔；步骤S4，在第一互连部上方的第一介质层的表面上依次设置底电极、MTJ单元、顶电极与第二刻蚀阻挡层；步骤S5，在第二介质层的远离第一介质层的表面上依次设置第三介质层、第三刻蚀阻挡层和第四介质层；步骤S6，开设第二通孔与第三通孔；步骤S7，在第二通孔和第三通孔中填充金属。该制作方法减小了工艺难度，提高了器件的成本率。

主权项

1.一种MRAM器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：/n步骤S1，在衬底表面上的互连介质层(10)中设置第一互连部(11)和第二互连部(12)，所述第一互连部(11)和所述第二互连部(12)交替且间隔设置；/n步骤S2，在所述互连介质层(10)的远离所述衬底的表面上依次设置第一刻蚀阻挡层(20)和第一介质层(30)；/n步骤S3，在所述第一互连部(11)上方的所述第一刻蚀阻挡层(20)和所述第一介质层(30)内形成第一金属孔(40)，所述第一金属孔(40)与所述第一互连部(11)电连接；/n步骤S4，在所述第一互连部(11)上方的所述第一介质层(30)的远离所述第一刻蚀阻挡层(20)的表面上依次设置底电极(60)、MTJ单元(70)、顶电极(80)与第二刻蚀阻挡层(90)，所述底电极(60)与所述第一金属孔(40)电连接，且所述底电极(60)、所述MTJ单元(70)以及所述顶电极(80)位于第二介质层(50)中，且所述第二介质层(50)位于所述第二互连部(12)上方的所述第一介质层(30)的远离所述第一刻蚀阻挡层(20)的表面上；/n步骤S5，在所述第二介质层(50)的裸露表面上以及所述第二刻蚀阻挡层(90)的裸露表面上依次设置第三介质层(100)、第三刻蚀阻挡层(110)和第四介质层(120)；/n步骤S6，在所述第一互连部(11)上方的所述第四介质层(120)、所述第三刻蚀阻挡层(110)、所述第三介质层(100)和所述第二刻蚀阻挡层(90)中开设第二通孔(130)，在所述第二互连部(12)上方的所述第四介质层(120)、所述第三刻蚀阻挡层(110)、所述第三介质层(100)、所述第二介质层(50)和所述第二刻蚀阻挡层(90)中开设第三通孔(140)；以及/n步骤S7，在所述第二通孔(130)和所述第三通孔(140)中填充金属，形成第二金属孔(131)和第三金属孔(141)。/n