[发明专利]一种电流导引型VCSEL及其制备方法在审
| 申请号： | 201810673115.5 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108539577A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;周广正;李颖;兰天 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/323;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种电流导引型VCSEL及其制备方法，属于半导体技术领域。所述的VCSEL包括一导电GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型AlGaAs/AlAs的DBR、AlGaAs下限制层、多量子阱发光区、AlGaAs上限制层、一次外延p型AlGaAs/AlAs的DBR、质子注入栅格结构、二次外延p型AlGaAs/AlAs的DBR、p型GaAs欧姆接触层、n面电极和p面电极。所述的质子注入栅格结构包含3‑5对DBR厚度，既能提供有效的电流和增益限制，又能很好的控制质子注入深度；质子注入栅格宽度由中心向两边递减，整体光增益分布与单横模高斯分布相匹配，实现稳定地单横模激射。 | ||
| 搜索关键词： | 质子 电流导引型 栅格结构 单横模 制备 半导体技术领域 多量子阱发光区 高斯分布 上限制层 下限制层 一次外延 光增益 导电 衬底 栅格 递减 匹配 两边 | ||
【主权项】：
1.一种电流导引型VCSEL，其特征在于，自下而上依次包括一导电GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型AlGaAs/AlAs的DBR、AlGaAs下限制层、多量子阱发光区、AlGaAs上限制层；在AlGaAs上限制层为一次外延p型AlGaAs/AlAs的DBR和质子注入栅格结构交叉间隔排列组合；在一次外延p型AlGaAs/AlAs的DBR和质子注入栅格结构交叉间隔排列组合上依次为二次外延p型AlGaAs/AlAs的DBR、p型GaAs欧姆接触层；在导电GaAs衬底的背面设有n面电极，在p型GaAs欧姆接触层上设有p面电极。
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