[发明专利]一种基于电子动态调控增强异质分子掺杂二硫化钼的方法有效
| 申请号： | 201810669691.2 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108862388B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 姜澜;左佩;李欣 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B23K26/0622;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京理工正阳知识产权代理事务所(普通合伙) 11639 | 代理人： | 鲍文娟 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种基于电子动态调控增强异质分子掺杂二硫化钼的方法，属于微纳米制造领域。本发明包括如下步骤：步骤一：通过飞秒激光脉冲序列聚焦到置于基底表面上的单层或多层二硫化钼，并控制飞秒激光脉冲序列的加工参数和加工位置，诱导出满足预设使用需求的二硫化钼表面的程度和位置可控的缺陷态，在空气环境中，具有缺陷态/活性点的二硫化钼有效吸附空气中的氧气，得到可控被氧气分子P型掺杂的单层或多层二硫化钼；步骤二：在具有缺陷态/活性点的单层二硫化钼滴上能够实现N型掺杂的有机物/无机物/生物分子溶液，并等待自然风干，得到被有机物/无机物/生物分子N型掺杂的单层二硫化钼。本发明具有缺陷态程度和位置可控、操作简单、灵活等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电子 动态 调控 增强 分子 掺杂 二硫化钼 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于电子动态调控增强异质分子掺杂二硫化钼的方法，其特征在于：包括如下步骤，步骤一、通过飞秒激光脉冲序列聚焦到置于基底表面上的单层或多层二硫化钼，并根据使用需求中需要的缺陷态程度和位置，控制飞秒激光脉冲序列的加工参数和加工位置，诱导出满足预设使用需求的二硫化钼表面的程度和位置可控的缺陷态，所述二硫化钼表面缺陷态包括裂纹和纳米片边缘，缺陷态即活性点，在空气环境中，具有缺陷态/活性点的二硫化钼有效吸附空气中的氧气，得到可控被氧气分子P型掺杂的单层或多层二硫化钼；步骤二、在步骤一中具有缺陷态/活性点的单层二硫化钼滴上10‑15～10‑6M的能够实现N型掺杂的有机物/无机物/生物分子溶液，并等待自然风干，得到被有机物/无机物/生物分子N型掺杂的单层二硫化钼。
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