[发明专利]交叉点自旋累积转矩磁阻式随机存取存储器有效
| 申请号： | 201810663342.X | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN109427381B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | G.米哈伊洛维奇;J.卡蒂恩;N.罗伯逊;N.史密斯 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了磁阻式随机存取存储器的设备、系统和方法。多个读取线在读取线层中，并且多个写入线在写入线层中。多个自旋累积线在自旋累积线层中，该自旋累积线层设置在读取线层和写入线层之间。自旋累积线可以将读取线和写入线水平交叉。多个垂直磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元可以包含极化器和磁隧道结。垂直MRAM单元可以包含耦接在自旋累积线和写入线之间的极化器。垂直MRAM单元还可以包含耦接在自旋累积线和读取线之间的磁隧道结，使得磁隧道结和极化器垂直对准。 | ||
| 搜索关键词： | 交叉点 自旋 累积 转矩 磁阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
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