[发明专利]一种用于低温快速连接的预烧结纳米网络银膜制备及封装方法有效
申请号: | 201810661776.6 | 申请日: | 2018-06-25 |
公开(公告)号: | CN108847395B | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 杨帆;胡博;李明雨;靳清;赵新亮 | 申请(专利权)人: | 深圳市先进连接科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/50 |
代理公司: | 44451 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 黎健任 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区沙井街道后亭*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本专利提出了一种低温快速连接的预烧结纳米网络银膜制备及封装方法,其制备方法包括,S1:制备特定尺寸的纳米银颗粒;S2:将纳米银颗粒溶解于有机溶剂,并对其进行化学剪薄;S3:将所得纳米银沉淀与粘结剂,分散剂和有机溶剂按照一定比例进行机械混合,得到纳米银膏;S4:使用钢网印刷或涂布等方式将银膏在柔性基板上印刷成膜,并在加热后得到预烧结纳米网络银膜。该纳米网络银膜解决了传统纳米银焊膏无法实现大面积焊点的快速制备的问题,同时克服了普通银膜中银颗粒烧结性能差的缺点。本发明简化了纳米银焊点的烧结工艺,获得接头性能良好且无钎剂残留,过程绿色环保,可作为新一代大尺寸高功率芯片封装的互连材料。 | ||
搜索关键词: | 银膜 纳米网络 制备 预烧结 封装 焊点 纳米银颗粒 快速连接 有机溶剂 纳米银 高功率芯片 传统纳米 钢网印刷 互连材料 机械混合 快速制备 绿色环保 纳米银膏 柔性基板 烧结工艺 烧结性能 分散剂 新一代 银焊膏 粘结剂 成膜 钎剂 银膏 加热 沉淀 溶解 残留 印刷 | ||
【主权项】:
1.一种可用于低温快速连接的预烧结纳米网络银膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1:制备特定尺寸的表面有包覆层的纳米银颗粒;/nS2:将表面有包覆层的纳米银颗粒使用超声搅拌溶解于有机溶剂,使用含饱和金属盐浓度的有机溶剂对其进行絮凝、离心,将上述方法重复多次后,获得包覆层化学剪薄后的纳米银沉淀;/nS3:将所得纳米银沉淀与粘结剂,分散剂和有机溶剂按照一定比例进行机械混合,得到纳米银膏;/nS4:使用钢网印刷或涂布方式将银膏在柔性基板上印刷成膜,并在烘箱中加热后得到预烧结纳米网络银膜;/n所述步骤S1中使用纳米银颗粒的有机包覆层为柠檬酸钠,十二烷胺或聚乙烯吡咯烷酮中的一种,纳米银颗粒尺寸为10-100nm,其中包覆层的厚度为0.2-2nm;/n所述步骤S2中使用的有机溶剂为乙二醇,1-2丙二醇,1-3丙二醇,丙三醇,聚乙二醇和松油醇中的至少一种;纳米银颗粒与有机溶剂的质量比为1:5-1:9;该混合溶液记为A溶液;所述步骤S2中的金属盐为氯化钠,碳酸钠,醋酸钠,硫酸钠中的至少一种,该饱和盐溶液记为B溶液;质量比A:B=1:1-5:1;所述步骤S2中的絮凝、离心次数为1-5次。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造