[发明专利]一种CIGS太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201810661061.0 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN108831938A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 张立强 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 陈超 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池，包括依次设置的基底、背电极层、CIGS吸收层、缓冲层、透明导电层、顶电极，所述CIGS吸收层朝向所述缓冲层一侧的表层为掺杂Zn的CIGS：Zn膜层，所述缓冲层为无Cd缓冲层。本发明的缓冲层采用无Cd缓冲层,生产过程没有Cd参与，更加环保、可靠，且在制备吸收层CIGS的同时掺杂Zn，形成浅埋同质PN结，可以有效地减少CIGS表面缺陷，提高PN结的质量，进而提高电池的转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲层 吸收层 制备 掺杂 透明导电层 有效地减少 太阳能电池 背电极层 表面缺陷 生产过程 同质PN结 依次设置 转化效率 顶电极 基底 膜层 浅埋 电池 环保 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括依次设置的基底、背电极层、吸收层、缓冲层、透明导电层、顶电极，所述吸收层为朝向所述缓冲层一侧的表层掺杂Zn的CIGS：Zn膜层，所述缓冲层为无Cd缓冲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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