[发明专利]一种高少子寿命黑硅的制备方法

摘要

本发明公开了一种高少子寿命黑硅的制备方法，使用集成电路中的RCA标准清洗方法对硅片表面进行处理，除去硅片表面的有机物、氧化物和机械损伤；利用传统碱醇体系对单晶硅片进行制绒，获得良好的“金字塔”结构的表面；对制绒后的硅片利用CuSO₄和HF体系进行二次处理，从而在“金字塔”表面获得纳米孔结构。本发明采用弱碱对二次处理后的硅片的表面形貌进行修饰，以提高硅片的少子寿命。

主权项

1.一种高少子寿命黑硅的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1)硅片清洗：使用集成电路中的RCA标准清洗方法对硅片表面进行处理，除去硅片表面的有机物、氧化物和机械损伤；2)传统工艺制绒：利用传统碱醇体系对单晶硅片进行制绒，获得良好的“金字塔”结构的表面；3)制备纳米孔：对制绒后的硅片利用CuSO4和HF体系进行二次处理，从而在“金字塔”表面获得纳米孔结构。