[发明专利]测试掩模版制造方法

摘要

本发明公开了一种测试掩模版制造方法，包括：主图形曝光能量为D2＝A*D1或D2＝B*D1；D1为该光刻层最佳曝光能量；调整副图形结构的掩模尺寸直至曝光出痕迹；调整第二曝光能量D2直至CD(max)＞CD(min),对第一、第二曝光能量D1、D2分别建立OPC模型；生成第一测试图形T1，生成第二测试图形T2，将扩大后第一测试图形T1使用OPC模型模拟，得到CD模拟结果CD1和CD2；获得目标层F2，对目标层F2进行OPC修正得到掩模M2；将T1作为目标层，将M2中与T1接触的标记作为修正层，将M2与T2接触的标记作为参考层；使用D1对应的OPC模型修正得到最终的掩模M1。本发明生产的测试掩模版能适用于多种曝光能量，能适用于多组不同图形密度，能降低生产成本，提高生产效率。

主权项

1.一种测试掩模版制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对于给定的光刻层，最佳曝光能量设为第一曝光能量D1；(2)当该光刻层主图形为第一类图形时，第二曝光能量D2＝A*D1，当主图形为第二类图形时，第二曝光能量D2＝B*D1；其中，A的范围为0.4‑0.9，B的范围为选在1.1‑1.6；(3)在第一曝光能量D1条件下，调整测试掩模版的副图形结构的掩模尺寸C直至曝光出痕迹；(4)在第二曝光能量D2条件下，测量该测试掩模版副图形结构光刻CD值，记为CD(max)；若CD(max)≤CD(min)则调整第二曝光能量D2直至CD(max)＞CD(min),CD(min)是当前层的最小光刻CD值；(5)对第一曝光能量D1和第二曝光能量D2分别建立OPC模型Model1和Model2；(6)生成第一测试图形T1，第一测试图形T的光刻CD值为CD(T1)，CD(T1)≥CD(min)，第一测试图形T1周期为X1，X1≥2X，X是当前层的最小周期；(7)生成第二测试图形T2，第二测试图形T的光刻CD值为CD(T2)，CD(max)≥CD(T2)≥CD(min)，第二测试图形T2周期为X2，X2≥2X，第二测试图形T2到第一测试图形T1间隔为CD(in),CD(in)≥CD(in min)，CD(in min)为当前层的最小CD间隔；(8)将第一测试图形T1扩大，将扩大后第一测试图形T1使用OPC模型Model1和Model2进行模拟，得到CD模拟结果CD1和CD2，取其差值的绝对值|CD2‑CD1|；(9)在第一测试图形T1基础上，将图形CD每边扩大|CD2‑CD1|/2，得到第一测试图形扩大层ST1；(10)将第一测试图形扩大层ST1和第二测试图形T2叠加，得到目标层F2，使用Model2对目标层F2进行OPC修正，得到修正后的掩模M2；(11)将M2中与T1接触的标记为T1M2，与T2接触的标记为T2M2；将T1作为目标层，T1M2作为修正层，T2M2作为参考层，使用第一曝光能量D1对应的Model1进行OPC修正，得到最终的掩模M1。