[发明专利]硅基混成CMOS-APD图像传感器系统有效
| 申请号： | 201810653297.X | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN108848327B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 祝晓笑;杜兵;黄绍春;黄烈云 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/3745 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 400060 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅基混成CMOS‑APD图像传感器系统，包括：APD探测器阵列及CMOS读出电路；所述CMOS读出电路包括像素单元阵列、列级信号处理电路及数字图像处理电路，所述APD探测器阵列工作在线性模式，用于实现光电信号的转换和倍增，所述CMOS读出电路用于完成倍增后信号的积分和读出。本发明所述的CMOS‑APD图像感器系统可在极低照度条件下成像并同时满足大动态范围、高灵敏度、高帧频指标。 | ||
| 搜索关键词： | 混成 cmos apd 图像传感器 系统 | ||
【主权项】：
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