[发明专利]通过直接烧结制备MnBi LTP磁体在审
| 申请号： | 201810630927.1 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109102978A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 李万锋 | 申请（专利权）人： | 福特全球技术公司 |
| 主分类号： | H01F1/147 | 分类号： | H01F1/147;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 董婷;王秀君 |
| 地址： | 美国密歇根*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及通过直接烧结制备MnBi LTP磁体。具体公开了一种方法，所述方法包括：基于第一温度，将Mn和Bi粉末压坯在第一温度烧结第一预定时段；将压坯在小于第一温度的第二温度烧结第二预定时段，其中，第二预定时段大于第一预定时段。在第一温度烧结第一预定时段的步骤产生预定的MnBi LTP转变驱动力，以使用于转变为MnBi LTP的形成能垒减小。将压坯在第二温度烧结第二预定时段的步骤形成包含MnBi LTP的磁体。 | ||
| 搜索关键词： | 预定时段 烧结 压坯 制备 粉末压坯 驱动力 减小 能垒 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：基于第一温度，将Mn和Bi粉末压坯在第一温度烧结第一预定时段，以产生预定的MnBi LTP转变驱动力，从而使用于转变为MnBi LTP的形成能垒减小；将压坯在小于第一温度的第二温度烧结第二预定时段，以形成包含MnBi LTP的磁体，其中，第二预定时段大于第一预定时段。
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