[发明专利]类金刚石膜表面处理工艺在审

申请号：	201810627804.2	申请日：	2018-06-19
公开（公告）号：	CN108987255A	公开（公告）日：	2018-12-11
发明（设计）人：	刘克武;尹士平;郭晨光;孙超	申请（专利权）人：	广东先导先进材料股份有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/3065
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	511517 广东省***	国省代码：	广东;44
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摘要：	本发明涉及一种类金刚石膜表面处理工艺，包括如下步骤：S1、将待处理的产品擦拭干净，放置在沉积装置的下靶位置；S2、关闭腔室并对腔室进行抽真空；当真空度达到4.0E‑3Pa或以下时，向腔室内充入5N或以上纯度的氧气，氧气的流量为10‑200 SCCM；S3、控制真空度在1.0E‑1Pa至2.0E 1 Pa；S4、启动射频源，射频源的功率范围为100‑2500W；氧气被射频源电离，然后在下靶负片偏压的作用下轰击产品表面的类金刚石膜，形成等离子层，负片偏压的电压范围为‑100V至‑1500V；类金刚石膜表面碳原子和氧离子反应形成CO_X作为尾气被排走；S5、通过控制反应时间控制反应刻蚀的厚度，刻蚀结束后关闭射频源、停止通入氧气；冷却至常温后，充入空气，开门取出产品。
搜索关键词：	射频源氧气类金刚石膜负片刻蚀表面处理工艺反应时间控制金刚石膜表面表面碳原子控制真空度产品表面沉积装置处理工艺等离子层靶位置抽真空关闭腔氧离子电离腔室擦拭轰击冷却尾气取出开门室内
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【主权项】：

1.一种类金刚石膜表面处理工艺，其特征在于：包括如下步骤：S1、将待处理的产品擦拭干净，放置在沉积装置的下靶位置；S2、关闭腔室并对腔室进行抽真空；当真空度达到4.0E‑3Pa或以下时，向腔室内充入5N或以上纯度的氧气，氧气的流量为10‑200 SCCM；S3、控制真空度在1.0E‑1Pa至2.0E 1 Pa；S4、启动射频源，射频源的功率范围为100‑2500W；氧气被射频源电离，然后在下靶负片偏压的作用下轰击产品表面的类金刚石膜，形成等离子层，负片偏压的电压范围为‑100V至‑1500V；类金刚石膜表面碳原子和氧离子反应形成COX作为尾气被排走；S5、通过控制反应时间控制反应刻蚀的厚度，刻蚀结束后关闭射频源、停止通入氧气；冷却至常温后，充入空气，开门取出产品。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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