[发明专利]一种直接在基底电极上生长均匀的二硒化铼纳米片的方法及修饰电极和应用有效
| 申请号： | 201810623714.6 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN108862397B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 张璋;李婧;黄文添 | 申请（专利权）人： | 肇庆市华师大光电产业研究院 |
| 主分类号： | C01G47/00 | 分类号： | C01G47/00;C01B3/04 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 任重 |
| 地址： | 526040 广东省肇庆市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种直接在基底电极上生长均匀的二硒化铼纳米片的方法及修饰电极和应用。所述方法包括如下步骤：S1：加热硒粉至硒粉气化；加热三氧化铼和基底电极，并通入还原性气体；S2：当三氧化铼加热至裂解后，将气化后的硒粉与其混合，继续升温至450~700℃，二硒化铼生长，沉积于所述基底电极上即得；所述硒粉与三氧化铼的质量比为200:1~300:1。本发明通过化学气相沉积方法将二硒化铼直接生长在基底电极上，来作为催化产氢的电极，大大提高了二硒化铼与电极之间的黏附力，同时提高了二硒化铼的催化性。另外，该方法的温度较低，工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 基底 电极 生长 均匀 二硒化铼 纳米 方法 修饰 应用 | ||
【主权项】：
1.一种直接在基底电极上生长均匀的二硒化铼纳米片的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：加热硒粉至硒粉气化；加热三氧化铼和基底电极，并通入还原性气体；S2：当三氧化铼加热至裂解后，将气化后的硒粉与其混合，继续升温至450~700℃，二硒化铼生长，沉积于所述基底电极上即得；所述硒粉与三氧化铼的质量比200:1~300:1。
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