[发明专利]包含宽带隙的钙钛矿系太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201810621704.9 申请日: 2018-06-15
公开(公告)号: CN109148687B 公开(公告)日: 2023-02-07
发明(设计)人: 徐章源;全男中;梁泰烈;鲁俊洪;郑义赫 申请(专利权)人: 韩国化学研究院
主分类号: H10K30/15 分类号: H10K30/15;H10K85/00;H10K71/40
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人: 王刚;龚敏
地址: 韩国大田广*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及包含宽带隙的钙钛矿系太阳能电池及其制造方法,详细地,本发明的太阳能电池包括钙钛矿结构的有机金属卤化物层、以及与有机金属卤化物层形成界面而层叠的结晶性物质层,结晶性物质层的结晶性物质是具有与钙钛矿结构不同的晶体结构的结晶性卤化物,结晶性卤化物具有比有机金属卤化物层的有机金属卤化物的带隙能量大的带隙能量,并具有比有机金属卤化物的价带(valence band)最大能级低的价带(valence band)最大能级。
搜索关键词: 包含 宽带 钙钛矿系 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种钙钛矿系太阳能电池,其包括:钙钛矿结构的有机金属卤化物层、以及与所述有机金属卤化物层形成界面而层叠的结晶性物质层,所述结晶性物质层的结晶性物质是具有与钙钛矿结构不同的晶体结构的结晶性卤化物,所述结晶性卤化物具有比所述有机金属卤化物层的有机金属卤化物的带隙能量大的带隙能量,并具有比所述有机金属卤化物的价带最大能级低的价带最大能级。
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