[发明专利]高性能低成本MnGeTe2

摘要

本发明涉及一种高性能低成本MnGeTe2基热电材料及其制备，热电材料化学式为MnGe1‑xBixTe2，其中，x≤0.12；其通过以下方法制成：(1)真空封装：按化学计量比取单质原料Bi、Ge、Te和Mn，并按照熔点从大到小依次放入石英管中，抽真空封装；(2)熔融淬火：加热装有单质原料的石英管，使原料在熔融状态下充分反应，随后淬火，得到第一铸锭；(3)退火淬火：将第一铸锭装入另一石英管中，升温退火，淬火，得到第二铸锭；(4)真空热压烧结：将第二铸锭研磨成粉末，置于石墨模具中，真空热压烧结，降温，即得到所述MnGeTe2基热电材料。与现有技术相比，本发明的MnGeTe2基热电材料具有良好的热电性能、机械性能以及较低的成本，应用潜力很大。

主权项

1.一种高性能低成本MnGeTe2基热电材料，其特征在于，其化学式为MnGe1‑xBixTe2，其中，x≤0.12。